159716. lajstromszámú szabadalom • Eljárás szelén egyenirányító rétegek előállítására
5 159716 6 tott csökkenő szakaszt vagy szakaszokat iktatunk közbe úgy, hogy a halogén koncentráció 1X10_3 % és l^XlO-^/o közé essen. A találmány szerinti eljárást részleteiben példákkal kapcsolatban ismertetjük. 5 1. példa: Az ismert segédberendezésekkel ellátott vákuumpárologtatóban az alaplemezek behelyezése 10 után a szivattyúrendszert — mely rotációs, „ruvac" és diffúziós szivattyúkból áll — üzembehelyezzük és a szivattyúzást 10-3 torr eléréséig folytatjuk. Az alaplemezek belső (szelénnel el nem látandó) oldalánál levő hűtő és külső 15 oldalánál levő fűtő berendezéseket úgy szabályozzuk, hogy a vákuumtér hőmérséklete 70— 100 C° és a párologtatás alatt 1000 C°/cm hőgradiens jöjjön létre az alaplemez belső oldala és a szelénréteg külső felülete között. A páro- 20 logtatást megkezdjük, miközben a vákuumértéket szabályozzuk úgy, hogy a párologtatás végére — ékkor a rétegvastagság kb. 100 mikron — a vákuum 5X10-2 torr értékre essen. Az 1. példa szerinti eljárással nagyon jó paraméterek- 25 kel ellátott szelénegyenirányítót kaptunk. 2. példa: Az ismert segédberendezésekkel és szivaty- 30 tyúrendszerrel ellátott vákuumpárologtató berendezésben 5X10-4 torr elérése után a nyomásesést szabályozható tűszelep segítségével hozzuk létre, miközben a hűtő, illetve fűtő berendezések segítségével 1000 C°/cm hőgradienst 35 állítunk elő, majd 10_1 % Cl-t tartalmazó szelénréteget, erre 5X10~3% Cl-t és/vagy Br-t tartalmazó szelénréteget és végül 3 x 10~2 % Br-^t és/vagy J-t tartalmazó szelénértéket párologtatunk úgy, hogy a párologtatás végén a nyomás értéke 5xl0~2 torr legyen. A tér hőmérséklete kb. 100 C° és a rétegvastagsága kb. 100 mikron. A 2. példa szerinti eljárással jó paramétereket mutató szelénegyenirányítót nyertünk, melynek élettartama is jobb, mint az alaplemez irányában monoton növekedésű szennyező koncentráció esetén. Szabadalmi igénypont: Eljárás szelénegyenirányítórétegek előállítására, amelynek során alaplemezre szelénből vákuumban való párologtatás révén egy vagy több réteget viszünk fel, az egyes rétegekbe halogéneket, illetve halogén keverékeket vagy vegyületeket juttatunk azzal jellemezve, hogy az előkészített alaplemezt tartalmazó zárt térben a párologtatást 10~2 —10 -4 torr vákuum elérése után indítjuk el, a nyomást a párologtatás befejezéséig folyamatosan egy nagyságrendnél nagyobb mértékben növeljük, de a nyomást legfeljebb 2 x 10-1 torr értékig engedjük növekedni és párologtatás közben az alaplemezt állandóan hűtve és a szelénoldalt fűtve, a szelénréteg Vagy rétegek külső felülete és az alaplemez között állandóan 500 C7 /cm-nél nagyobb hőgradienst tartunk fenn, és a zárórétegtől az ohmikus kontaktusig a szenynyező halogén vagy halogénkeverék koncentráció változásának menetét növekvőre állítjuk be, azonban egy 1 x 10-3 —l,5xl0 -2 % halogén koncentrációjú csökkenő menetű szakaszt is iktatunk be. A. kiadásért Iele.1: a Közgazdasági es Jogi Könyvkiacó iguzgatöja-7207560. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23.
