159609. lajstromszámú szabadalom • Eljárás tetragonális germániumoxid előállítására főleg bevonat alakjában

3 159609 4 letes vastagságú tetragonális védőréteg kialakítására kevésbé alkalmas. Javasolták tetragonális germániumdioxid védőréteg előállítását germánium felületén levő más módosulatú germánium dioxidnak vagy elemi germániumnak vízgőzt tartalmazó gáztérben való hevítésével is (1018 131, 1050 701 és 1100217 számú brit szabadalmi leírások). Az ezekben ismertetett eljárásokkal készült germániumdioxid védőréteg vízgőzt tartalmaz, ami félvezetőeszközök'ben való felhasználódás esetén hátrányos. Találmányunk értelmében tetragonális germániumdioxidot főleg védőréteg alakjában és céljára úgy állíthatunk elő, hogy hexagonális vagy amorf (üveges) germániumdioxidot, adott esetben hordozóra, pl. germániumra, szilíciumra, galliumarzenidre, fémekre, szigetelő anyagokra, felvitt réteg alakjában, száraz levegőben, vagy más, a reakciótérben jelenlevő anyagok szempontjából semleges és hidroxil gyököt nem tartalmazó gázban, 100 és 900 atm. közötti nyomáson, 100 C°, előnyösen 300 C° és 700 C° közötti hőmérsékleten hevítünk. Elemi germánium felületén a hexagonális germániumdioxid réteget bármely ismert oxidációs módszerrel létrehozhatjuk. Más anyagokon a védőréteggé átalakítani kívánt hexagonális vagy amorf germániumdioxid réteget pl. porlasztással, párologtatással, vagy ortogermániumsav telített vizes oldatából való rákristályosítással alakíthatjuk ki. A legáltalánosabb értelemben bármilyen úton készült, bármilyen alakban levő, például por alakú vagy darabos hexagonális germániumdioxid is átalakíttató a találmány szerinti eljárással szürke, tetragonális módosulattá. 1. példa: Kristályosítással 10 mikron vastagságú hexagonális germániumdioxid réteget alakítottunk ki, 0,5X10X120 mm méretű, 1 ohmcm fajlagos ellenállású, polírozott és kémiailag maratott germánium egykristály felületén. A mintát szá-10 15 20 25 30 SS 40 45 raz levegőben, 200 atm nyomáson és 380 C°-on 50 órán át kezeltük. A felületen a kezelés után a germánium felületéhez jól tapadó, folytonos tetragonális germániumdioxid réteget kaptunk. 2. példa: Párologtatással alakítottunk ki 2 mikron vastagságú hexagonális germániumdioxid réteget a mechanikailag és kémiailag polírozott GaAs egykristály felületén. C02

gázban, 300 C°-on, 260 atm nyomáson 70 óra alatt a tetragonális módosulattá való átalakulás teljesen megtörtént és jól tapadó folytonos rétegként vonta be a felületet. 3. példa: Hexagonális germániumdioxid port 370 C°-on 240 atm-án nitrogén gázban 70 órán át kezeltük. A por teljes mértékben tetragonális germániumdioxiddá alakult át. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás tetragonális germániumdioxid előállítására más módosulatú germániumdioxidból, azzal jellemezve, hogy a más módosulatú germániumdioxidot 100 és 900 atm. közötti nyomáson, száraz levegőben vagy a jelenlevő anyagok szempontjából semleges és hidroxil gyököt tartalmazó vegyülettől mentes gázban, 100 C°, előnfösen 300 C° és 700 C° közötti hőmérsékleten hevítjük. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a jelenlevő anyagok szempontjából semleges gáz nitrogén, nemesgáz vagy széndioxid. 3. Az előző igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítás! módja, azzal jellemezve, hogy a más módosulatú germániumdioxid bevonat alakjában van jelen. 4. A 3. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a más módosulatú germániumdioxid félvezető, fém, vagy szigetelő anyagot bevonó réteg alakjában van jelen. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatöja. TSB7538. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bélint utca 21—23. 2