159075. lajstromszámú szabadalom • Eljárás monolitikus félvezető eszközök előállítására és előállított félvezető eszközök
159075 10 kenteni a kisebbségi töltés hordozók rekombinációját a felületen és igyekszik csökkenteni az effektív térfogatot is, amely rendelkezésre állhat a kisebbségi töltés hordozók tárolására a bázis zónán belül. Inverz módusban működő tranzisztornál is ezen beépített tér igyekszik, hogy a kisebbségi töltés hordozókat felépítse a bázis zónának emitter zónától távoli részein. Ez a felépítés igyekszik csökkenteni a kisebbségi töltés hordozók injektálását mindenfelől, kivéve a bázis-kollektor átmenet azon részét, amely közvetlenül szemben van az emitter-bázis átmenettel, minthogy az emitter-bázis átmenet úgy hat, mint egy nyelő az injektált kisebbségi töltés hordozók számára. Ez a hatás igyekszik növelni az ilyen módon készült tranzisztorok inverz áramerősítését. • Leírásunkban nem tárgyaltuk a diódák, kondenzátorok és térvezérlésű tranzisztorok kialakításának eljárásait, mert ezek és más funkcionális elemek alakítására szolgáló eljárások az előbbi leírásból nyilvánvalóak. Hasonlóképpen nyilvánvaló a leírásból az N-típusú anyag használat a szubsztrátum és az epitaxiális réteg számára, megfelelően helyettesítve az N-típust a második vezető típus számára, hogy ezáltal PNP-bipoláris tranzisztort ét komplementer struktúrát alakítsunk ki. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás monolitikus félvezető eszközök gyártására, amelynek során első vezetőtípusú félvezető anyagból levő test egyik nagyobb felületének legalább egy kiválasztott részén egy ellentétes vezetőtípusú eltemetett réteget alakítunk ki, azzal jellemezve, hogy az első vezetőtípusú félvezető anyagból levő epitaxiális réteget (44) viszünk fel a nagyobb felület legalább egy részére és az epitaxiális rétegben egy második vezetőtípusú, az epitaxiális rétegen áthatoló mély kontakt zónát (46 vagy 48) alakítunk ki, és a mély kontakt zónák mindegyike az elte-10 15 20 25 30 35 40 metett réteg (43) (1. ábra) felett az epitaxiális réteg egy szakaszát (38) foglalja magába. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az epitaxiális réteg felvitelénél hő alkalmazásával az eltemetett rétegből szennyezéseket difí'undáltatunk az epitaxiális rétegbe. 3. Az 1., vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az epitaxiális réteg felületének legalább egy részében első vezetőtípusú félvezető anyagból egy a felülettől befelé haladva csökkenő szennyezés koncentrációjú zónát (62) alakítunk ki. 4. Az i—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja azzal jellemezve, hogy az epitaxiális réteg egyik bázisszakaszában (38) ellentétes vezetőtípusú zónát (36) alakítunk ki. 5. Az 1—4. igénypontokban meghatározott eljárással készült félvezető eszköz kiviteli alakja, mely egy első vezetőtípusú laprészt (41) és egy ellentétes vezetőtípusú, a laprész felületének egy részében eltemetett zónát (43); foglal magába, azzal jellemezve, hogy a laprészen (41) kialakított első vezetőtípusú epitaxiális rétege (44) és egy ellentétes vezetőtulajdonságú, az epitaxiális rétegen áthatoló és az eltemetett ré-, teg fölött az epitaxiális réteg egy szakaszát körülfogó, mély kontaktzónája (48) van. 6. Az 5. igénypont szerinti félvezető eszköz kiviteli alakja azzal jellemezve, hogy az epitaxiális réteg (44) körülfogott szakaszában (38) ellentétes vezetőtípusú, az epitaxiális rétegbe nyúló, de azon át nem hatoló kisebb szakasz (36) van. 7. Az 5—6. igénypontok bármelyike szerinti félvezető eszköz kiviteli alakja, azzal jellemezve, hogy az epitaxiális réteg körülhatárolt szakaszában ionizált szennyező atomokkal, melyek koncentrációja a külső felülettől befelé haladva csökken, kialakított zónája (62) van. 8. A 7. igénypont szerinti félvezető eszköz kiviteli alakja azzal jellemezve, hogy a szennyezett zóna felületi koncentrációja a felületi 10Jí) atom/cm3 értékről a belső szakasz irányában 101 ' atom/cm'5 értékre csökken. 1 rajz, 7 ábra A kiadáséi« felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 7108668. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. S
