158963. lajstromszámú szabadalom • Eljárás krómlapok maratására és az ilyen módon előállított fotólitografikus maszkok
MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS Bejelentés napja: 1968. VIII. 10. (WE—382) Amerikai Egyesült Államok-béli elsőbbsége: 1967. VIII. 11. Közzététel napja: 1970. X. 24. Megjelent: 1972. II. 28. 158963 Nemzetközi osztályozás: C 23 f l/«2; H 05 k 3^6 Feltalálók: Cashau George Bobért mérnök, Phillipsburg, George James William mérnök, Allentown, Amerikai Egyesült Államok Tulajdonos: Western Electric Company, Incorporated, New York, Amerikai Egyesült Államok Eljárás krómlapok maratására és az ilyen módon előállított fotolitografíkus 1 Fotolitograf ikus és maratási eljárásoknál alkalmazott maszkokat krómnak, vafflamely szubsztrétumra, mint üvegre gőzölögtetés útiján való felhordásával, majd a kívánt mintázatnak ezt követő letakarásával és a krómba való bemaratásával állítjuk elő. Maratóoldatként foszfor- és kénsav keverékét alkalmazzuk és a maratást a krómfelületnek fémhuzallal történő érintkeztetéséve! indítjuk meg. Az ilyen módon előállított maszkok éles határvonalat alkotnak, a maszk átlátszó és át nem látszó szakaszainak elhatárolásával és különösen alkalmasak félvezetők és integrált áramkörök előállítására, ahol finom képfelbontásra van szükség. A találmány tárgya fotolitografíkus és maratási eljárásokban alkalmazott maszkok, valamint azok előállítására alkalmas eljárás. A találmány körébe tartozó maszkok kiváló kopás ellenálló tulajdonsággal rendelkeznek és kiváló képelhatárolást és optikai képfelbontást biztosítanak, amint az a viszonylag kisméretű, precíziós cikkek készítésénél szükséges. Mivel a találmány elsősorban fémvezető esaközök és ;:ntegrélt áramkörök készítésénél alkalmazható, így a találmányi is ilyen eszközök előállításaival kapcsolatban ismertetjük. Magától értetődő természetesen, hogy a találmány nem korlátozódik kizárólag erre a felhasználási területre, hanem egyéb fotolitoga'afifeus és maratási eljárásokkal kapcsolatban is alkalmazható. 10 15 20 25 Félvezető eszközök és integrált áramkörök gyártásánál általában kívánatos fotolitografikUB vagy maratási eljárás alkalmazása különböző anyagmintázatok kialakítására, melyeket a szubsztrátumra felhordanak, vagy abba diffundálnak. Így pl. félvezető eszközök előállításánál vezetőképesség típvtsét mggfbatiározó szenynyezések az alapanyagba való diffundálását oxid-maszk segítségével szabályozhatjuk. Ennél az eljárásnál az alapanyag oxid felületi réteggel van kiképezve, me&ynek egy meghatározott szakaszát eltávolítják és így a felület különböző vezetőképességet meghatározó szennyezéseket tartalmazó gázokkal kezelhető. Az alapanyagba való difíundálást az oxidréteg segítségével akadályozzák meg annak vastagságától és az alkalmazott doppölóanyag típusától függően. Ilyen módon a doppolóanyagok diffundálása csak a maszkkal nem fedett szakaszokon megy végbe és olyan afepanyagot állítanak elő, melynek töfob az eredeti anyagtól eltérő vezetőtípusú szakasza van. Egymást követő letakarási és diffundálási műveletek alkalmazásával olyan diffundált struktúrát hoznak létre, mely különböző vezetőlípusú szakaszokiból áll. Az ismert eljárásoknál az oxidmaszfc mintázatot a szokványos fotolitografikus és. maratási eljárással alakítják ki. Az ismert eaujara&ok kü-30 Ionosképpen azért kívánatosak, mivei kötővé 158963
