158735. lajstromszámú szabadalom • Planártranzisztor

158735 tárcsa egész felső oldalára 68 alumínium réte­get párologtatunk (14. ábra). Végül isméit foto míaszk segítségével a 68 alumínium réteg nem kívánt neszeit eltávolítjuk, úgyhogy vezető 69 és 70 rétlegek maradnak meg, amelyek a 65 bázis zónával és a 67 emitter zónával érintkez­nek. Ezeken a vezető rétegeiken úgynevezett terimokoimpressziós eljárással rögzítjük a 71 és 72 hozzávezető huzalokat (15. ábra). A maximális megengedett feszültségjat egy­részt a vezető 69 és 70 rétegeik és másrészt a kollektor zóna között isimét főleg a 75 bázis emitter átmenet tulajdonságai határozzák meg és ez egy oxid rétegne megengedett maximális feszültség többszöröse lehet. Megjegyezzük, hogy az adott esetben a bázis zóna fölött levő ablakot minden további nél­kül sokkal nagyobbra készíthetjük, úgyibogy a bázis zónával érintkező vezető réteg teljes egé­szében kizárólag ebben az ablakban helyezked­het el, nem pedig a 66 szigetelő rétegben. A 16. ábrán ezt a vezető réteget 76 hivatkozási szám jelöli. A kollektor zóna csatlakozását szokásos mó­don lőhet elhelyezni, vagy az emitter csatla­kozás és a bázis csatlakozás melOlett egy ab­lakban, vagy pedig a 61 tárcsa alsó oldalán. A találmány szerinti tranzisztornak egy a gyakorlat száméra alkalmasabb kiviteli alak­ját a 17. ábíra mutatja, ahol 81 emitter ablak van a két 82 bázis ablak között elhelyezve. A vezető 83 és 84 rétegek ezekben az ablakok­ban érintkeznek a 85 emittier zónával és a 86 bázis zónával. Azokat a vonalakat, amelyek mentén a különböző zónák között levő átmene­tek metszik a félvezető felületét, a 17. ábrán a 87 és 88 hivatkozási számok jelölik. Természetesen a találmány tárgyának alkal­mazása nem korlátozódik a fent ismertetett és csak példaképpen felhozott alakizatókira, hanem felhasználható különösen interdigitáls és ha­sonló alakzatoknál is. 10 15 20 25 30 35 40 45 Szabadalmi igénypontok: 1. Tranzisztor, amely olyan félvezető testet tartalmaz, amely egy első vezető típusú első zónával, a kollektor zónáival, egy ezzel ellenté­tes vezető típusú második zónával, a bázis zó­nával és egy további első vezető típusú har­madik zónával, az emitter zónával rendelkezik és a harmadik zónát a második zónla, míg a második zónáit az első zóna veszi körül, annak a résznek kivételével, amelyet a test egy ha­tároló felülete határoz meg, míg a zónák kö­zött átmeneteik vannak, amelyeket zárt alakza­tok mentén metsz ezen felület és ezen felüle­ten szigetélő réteg van, amely az említett át­meneteknek a felülettel való metszési helyeit takarja és a szigetelő rétegen vezető réteg van, amely a szigtelő rétegben levő ablakon keresztül az emitter zónával érintkezik és az ablak mellett oldalirányban a szigetelő réteg fölé nyúlik és ott a kollektor zóna fölött elhe­lyezkedő érintkező helyet képez hozzávezető huzal csatlakoztatásaira, azzal jellemezve, hogy a báziszóna (42; 86) az emitter zóna (43; 85) mellett olyan messze nyúlik, hogy a szigetelő­rétegen fekvő és az emitter zónával (43; 85) összekötött érintkezési hely teljes egészéiben ia báziszóna (42; 86) fölött helyezkedik el, azaz hogy az emittar zónát (43; 85) körülvevő bázis­zóna (42; 86) külső határvonala (48; 87) a tranzisztor felülnézetében a szigetelőrétegen fekvő és az emitter zónával (43; 85) összekö­tött érintkezési hely (51; 83) körvonalán kívül helyezkedik el (5. és 6., illetőleg 17. és 18. áb­ra). 2. Az 1. igénypont szerinti tranzisztor kivi­teli alakja, azzal jellemezve, hogy egy további vezető réteggel (54; 84) rendelkezik, amely a szigetelőrétegben levő ablakon (53; 82) keresz­tül a bázis zónával (42; 86) érintkezik és télije-, sen a báziszóna (42; 86) fölött elhelyezkedő érintkező helyet (54; 84) képez egy további hozzávezető huzal számára, amely érintkező hely (54; 84) kontúrvonala a tranzisztor fölül­nézetélben a báziszóna (42; 86) határoló vona­lán (48; 87) belül helyezkedik el. 4 rajz, 20 ábra A kiadáséi, telel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 7108246. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. 4

Next

/
Thumbnails
Contents