158735. lajstromszámú szabadalom • Planártranzisztor

3 A fentiekben ismertetett tranzisztoroknál, amelyeiknél a szigetelő rétegein vezető réteg van, amely a szigetelő rétegben kiképzett ablakon keresztül az emittier zónával érintkezik és a kollektor zóna fölé nyúlik, a vezető réteg és a 5 kollektor zóna között kapacitás keletkezik. Ez a kapacitás olyankor, amikor a tranzisztort például közös bázisú kapcsolásban erősítő elemként alkalmazzák villamos jel erősítésére, viszszaesiatoMst okoz. Ez a visszacsatolás nagyfrek- 10 venciáknál különösen kavaró lehet. Közös bázisú kapcsolásiban a tranzisztor bázisa a bemenő áraimkör és a kimenő áramkör számára közös, az erősítendő jelekéit az emit- ^5 térre vezetik, míg az erősített jeleket a kollektorról veszik le. A találmány tárgyának megvalósításával további célunk az, hogy az említett vissziacsato- ^o last ellőadéző kapacitásit kiküszöböljük. A találmány értelmében a bázis zóna oly messze nyúlik az emitter zóna mellé, hogy az emitter zónával összekötött érintkezési hely tel- 25 jesen a bázis zóna födött helyezkedik el. Eat az érintkezési helyet ekkor a szigetelő rétegen kívül a bázis zóna és a bázis zóna és a kollektor zóna között levő átmenet is elválasztja a kollektor zónától. r,Q Ha a találmány szerinti tranzisztort közös bázisú kapcsolásban alkalmazzuk, az említett visszaes a tollast előidéző kapacitás nem jelentkezik, minthogy a bázis zóna árnyékoló rété- ^5 get képez az emitter zónával összekötött fémréteg és a kollektor zóna között. Ez a bázis-kollektor kapacitás és a bázis-emitter kapacitás megnövelését okozza. Ezek a megnövelt kapacitások azonban az említett kapcsolási rendezésekíben, többnyire kevésbé zavar oak, mint a visszacsatolást előidéző kapacitás. Ha á találmány szerinti tranzisztor nagyfeszültségű tranzisztor, akkor üzem közben nem a teljes emitteir-kollektor-íeszültség van a szigetelő rétegen, hanem' csak a sokkal kisebb emitteir-ibázisHfeszültség, és ezáltal elkerüljük az emitter zónával összekötött fémréteg alatt levő szigetelő réteg átütési veszélyét. A találmány szerinti tranzisztor egy fontos és előnyös kiviteli alakját az jellemzi, hogy egy további vezető réteggel rendielíkeziijk, amely a szigetelő rétieglben levő ablakon keresztül a 5& bázis zónával érintkezik, és amely teljesen a bázis zóna fölött levő érintkezési helyet képez, további hozzávezető huzal csatlakoztatására. 60 A bázis zónával összekötött vezető réteg teljesen a bázis zóna fölött van és ezáltal olyankor, amikor a bázis zóna és kollektor zóna között nagy fieszültséglkülönibsiég jelentkezik, a szigetelő réteg nem üt át. 65 4 Amint a továbbiakban ismertetjük, ez a szigetelő réteg — amennyiben a bázis zóna és ezen zónával összekötött vezető réteg között van — már nem tölt be szigetelő feladatot. A találmány tárgyának egy kiviteli alakjánál ezért a bázis zónával összekötött vezető réteg teljes, egészéiben a szigetelő réteg egy ablakában helyezkedik el. A találmány tárgyának egy példakénti kiviteli alakiját rajz álapján ismertetjük részletesebben. Az 1. és 3. ábrák az ismert tranzisztorok metszeteit mutatják, a 2. és 4. ábrák ugyanezen tranzisztorok felülnézetei, az 5. ábra egy találmány szerinti tranzisztor metszete, a 6. ábra ezen tranzisztor felölnézete, a 7—16. ábrák a találmány szerinti tranzisztor előállításának különböző lépéseit mutatják, a 17. ábra egy találmány szerinti tranzisztor felülnézete, a 18. ábra egy találmány szerinti tranzisztor metszete, a 19. és 20. ábrák a találmány szerintii tranzisztor alkalmazási lehetőségeit szemléltetik. Valamennyi ábra vázlatos és lényegesen nagyított léptékben rajzolt. Az 1. ábra szerinti tranzisztor 1 kollektor zónával rendelkezik, amely például n-típusú sziliciumibál van, továbbá p-típusú 2 bázis zónája és n-típusú 3 emitter zónája van. A két utóbbi zónát mindig a megelőző zóna veszi körül, kivéve azokat a helyeket, amelyeiket a 4 felület határol. Ezt a felületet vékony 5 szigetelő réteg takarja, amely többek között azokat a helyéket takarja, amelyeken a zónák között levő 6 és 7 átmenetek a 4 felületet metszik, azaz kör alakú vonalaik mentén, amelyeket a 2. ábrán szaggatott vonallal ábrázoltunk és amelyeket 8 és 9 hivatkozási számok jelölnek. Az emitter zóna fölött az 5 szigetelő rétegben 10 ablak van kialakítva, amelyben 12 hozzávezető huzallal ellátott 11 érintkező réteg képezi az emitter csatlakozást. Hasonló módon van kiképezve 13 bázis csatlakozás és 14 kollektor csatlakozás. Nyilvánvaló, hogy ilyen fajta tranzisztornál különösen az emitter csatlakozás és bázis kiképzésére igen kevés hely áll rendelkezésre. A 3. és 4. ábrán szemléltetett tranzisztornál erre a csürs lényegesen több hely áll rendelkezésre. Ez a tranzisztor 21 kollektor zónából, 22 bázis zónából és 2,3 emitter zónából áll. Mindkét utóbbi zóna fölött a 25 szigetelő rétegben itt is 30 alblakök Vannak kialakítva, amelyek a hozzájuk tartozó zónáikkal érintkező vezetőkkel rendelkeznek, itt azonban a vezetőket 31 és 32 fémrétegek képezik, as ualyek az ablakok mellett a 21 kollektor zóna fölé nyúlnak és ott vannak a 3i3 és 34 hozzávezető huzalokkal összekötve. Nyilvánvaló, hogy ebben 2