158101. lajstromszámú szabadalom • Korszerű félvezető eszközökben alkalmazott, passziváló SiO2 réteg tulajdonságainak meghavítása

158101 6 b) A réteg tömörsége viszont nagyobb. Ez abban nyilvánul meg, hogy az általában használt pufferolt ammónium bifluorid oldatban mért marási sebessége 30—50%-kal kisebb, mint a hagyományos SiO-; rétegé. c) Az ilyen módon előállított SÍO2 réteggel készülő planar eszközök visszárama. kisebb, stabilitása nagyobb, mint a hagyományos oxidációs technikával készített planar eszközöké. -Szabadalmi igénypontok 1. Eljárás szilícium planár és MOS eszközök lemezein a maszkoló és passziváló SÍO2 rétegek 10 15 termikus kialakítására száraz-nedves-száraz oxidációval, azzal jellemezve, hogy a lemezek nedves "oxidációs műveleténél az oxigén atmoszférába foszfor vagy foszforvegyület gőzét adagoljuk. 2. Az 1. igénypontban leírt eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az O2 áram 0,1—10%-át célszerűen 1—1,3%-át szobahőmérsékleten (—15—20c,

C-on—) telítőedényben POCI3 gőzével telítjük, az ily módon P-re telített (-nedves-) 02

-gázt hozzákeverjük az O2 áram másik részéhez és az így előállított gázkeveréket az Si lemez(ek) felett áramoltatjuk J;i—1 V2 órán át max. 900 °C-on. A kiadásért lelel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 7107165. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. 3