157868. lajstromszámú szabadalom • Mikrominiatürizált integrált áramkörben kialakított félvezető szerkezet és eljárás annak előállítására

MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS 157868 Nemzetközi osztályozás: H 01 1 19/00 Bejelentés napja: 1967. IX. 16. (AE—238) Német Demokratikus' Köztársaság-béli elsőbbsége: 1966. IX. 16. (WP 21 g/119 910) Közzététel napja: 1970. IV. 08. Megjelent: 1971. III. 01. 'W Feltaláló: Armgarth Dietrich oki. mérnök, Dresden, Német Demokratikus Köztársaság Tulajdonos: Arbeitsstelle für Molekularelektronik cég, Dresden, Német Demokratikus Köztársaság Mikrominiatürizált integrált áramkörben kialakított félvezető szerkezet és eljárás annak előállítására A találmány tárgya mikrominiatünizált integrált áramkörben kialakított félvezető szerkezet és eljárás annak előállítására, különösen mikrominiatűr félvezetős blokkok aktív és passzív szerkezeti elemeinek szigetelésére. A különböző módon előállított, ismert félvezetőszenkezetek nem rendelkeznek adott felhasználási területen elegendő nagy letörési feszültséggel, mivel a pn átmeneteknél a perem mentén zsugorodások alakulnak ki. Az ismert félvezatőszerkezetek szerkezeti elemeinek szigetelésére egy sereg elj.árás ismert. Ezekkel az ismert eljárásokkal záró-irányú polaritású pn átmenetet vagy SÍO2 réteget állítanak elő. Ezzel a szigeteléssel, a pn átmeneten keresztül egyrészt valamennyi szerkezeti elemnél parazita-kapacitások lépnek fel a földelt alapanyaghoz képest, másrészt pedig parazita-^ellenálMsofc keletkeznek, amelyek a kapcsolás frekvencia menetét, ill. a szerkezeti elem frekvencia menetét rontják. Az említett parazita-ellenállásokat ismert intézkedésekkel valamennyire csökkenterii lehet. A parazita kapacitásokat azonban ennél az eljárásnál nem lehet elkerülni, úgyhogy az integrált kapcsolások határfrekvenciája kisebb, mint az egyedi szerlkezeti elemekkel kialakított kapcsolásoké, a félvezető elemek azonos geometriai méneteii mellett. Ha az integrált szerkezetek kapcsolási elemeinek méreteit kicsinyítjük, akkor, bár a pa-5 razita kapacitások csökkennek — az ellenállás értéke megnő. Ezenkívül az alapanyag szempontjaiból hatásos parazita tranzisztorok és négyrétegű szerkezeteik alakulnak ki, amelyek a kapcsolás paramétereit (megbízhatóságát) 10 hátrányosan befolyásolják. Az S1ÍO2 szigetelőréteggel kialakított, ismert szerkezetek, amelyéket pl. R. M. Warner „Integrated circuits, design, principles and fabrication" ismertet, a parazita tranzisztorok — 'és 15 négyréteg — hatásokat teljes mentékben kikü, szöböli. Ezek az eljárások nagyabb technológiai ráfordításit igényelnek, azonban tökéletes szigetelést biztosítanak, mivel az egyes kapcsolási elemiek, illetőleg kapcsolási elemekből álló 20 rész SÍO2 réteggel tökéletesen körülvehető. Ezáltal lehetségessé válik, hogy a parazita kapacitásokat az alapanyag kapacitásiára redukáljuk és a parazita ellenállásokat •— túlnyo-25 mórászt a kollektor szakaszellenállását —csökkentsük. A két említett szigetelési eljárással — az eddigi eljárási mód szerint — nem sikerült nagyértékű letörési feszültségértéket biztosítani, £0 mivel a pn átmenetnél a perem zsugorodásait 157868