157760. lajstromszámú szabadalom • Félvezető eszköz, és eljárás annak előállítására

157760 15 16 4. Az 1.—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganjatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a minta említett rétegét elválasztjuk a mintázat egyéb részeitől oly módon, hogy az epitaxiális réteg kialakítása előtt ellentétes, második vezető típust eredményező szennyezőt diffundáltatunk az alaplemez felszíni rétegébe, amely felszíni réteg, ha az alaplemez felületét nézzük, minden oldalon takarja a mintázat ezen rétegét és olyan szennyezőt alkalmazunk, amelynek diffúziós koefficiense kisebb, mint azon szennyezőé, amellyel a mintázatot készítettük és kisebb az a koncentráció is, amellyel az epitaxiális réteg kialakítása1 után és a szigetek előállítására irányuló diffúziós kezelés után egy második, de ellenkező vezető típusú takart réteget alakítottunk ki, amely tartalmazza a takaró felületi réteget és amely szétválasztja az első vezető típusú takart réteget, amely az epitaxiális rétegben helyezkedik el, az alatta levő első vezető típusú résztől, mely az alaplemezhez tartozik, míg az első vezető'típusú takart réteg felett az emitter rétegen kívül további első vezető típusú felületi tartományt alakítunk ki, nevezetesen a kontakttartományt, a'mely az első vezető típusú takart rétegig terjed. 5. Az 1.—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosí tási módja, azzal jellemezve, hogy olyan mintázatot készítünk, amelyben a mintázatnak említett tartománya áL van választva a mintázat további részétől azáltal, hogy az epitaxiális réteg kialakítását megelőzően ellenkező — második — vezető típust eredményező szennyezést diffumdáltatunk az alaptemezmek egy felületi tartományába, amely felületi réteg — ha az alaplemez felületére nézünk — minden oldalon takarja a mintázat említett tartományát és a szennyező koncentrációja nagyobb, mint az alaplemezben levő és annak vezető típusát meghatározó szennyezője és íkiseíbíb, mint azé a szanynyezőé, amellyel a mintázatot képeztük, míg az" eljárás diffúziós kezelései alatt az ellenkező vezető típust eredményező szennyezőt mélyebbre diffundáltatjuk az alaplemezbe, mint amilyen mélyen van az, amellyel a mintázatot alakítottuk és ezáltal első vezetőtípusú takart réteget állítunk elő, amely magában foglalja a mintázat említett rétegét és amelyet teljesen körülvesz az alaplemezben egy ellentétes — második — vezető típusú második takart réteg, míg az első vezető típusú takart réteg felett az emitter rétegen kívül első vezető típusú második felületi réteget, ún. kontakt réteget alakítunk ki, amely az első vezető típusú takart rétegig terjed. 6. Az 5. igénypont szerinti eljárás foganatosítási imódja, azzal jellemezve, hogy az ellentétes —. második —-vezető típust előállító szennyezőként nagyabb diffúziós koefficienssel rendelkező szennyezőt alkalmazunk, mint az, amelyet magának a mintázatnak kialakításánál alkalmazunk. 7. Az 5. vagy 6. igénypont szerinti eljárás foganatosítása módja, azzal jellemezve, hogy az epitaxiális réteg kialakítását megelőzően az ellentétes — második —• vezető típust eredményező szennyezőt mélyebbre diffundáltatjuk az alaplemezbe, mint azt, amellyel a mintázatot készítettük. 8. A 4.—7. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy kontakt réteget alakítunk ki, amely az első vezető típusú takart rétegig terjed és körülveszi az első vezető típusú emitter réteget. 9. A 4.—8. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a kontakt réteget a szigetek kialakítását szolgáló diffúziós kezelés folyamán alakítjuk ki. 10. Az 1.—9. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy egy ellentétes — második — vezető típusú takart réteget alakítunk ki az npn (pnp)-tranzisztor soros kollektor ellenállásának csökkentésére az npn (pnp)-tranzisztort tartalmazó sziget és az alaplemez összekötő réteg tartományában. 11. A 10. igénypont és a 4.—9. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az ellentétes —:

második — vezető típusú takart rétegeket egyidejűleg és azonos módon alakítjuk ki. 12. Az 1.—11. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az alaplemez oéljára p-típusú szilíciumot használunk, amelyre n-típusú epitaxiális szilícium réteget alkalmazunk. 13. Az 1.—12. igénypontok bármelyike szerinti eljárással előállított félvezető eszköz, amely félvezető testet tartalmaz és epitaxiális réteggel befedett első vezető típusú alaplemeze van, amely több, az elsővel ellentétes második vezető típusú területet, úsn. szigetet foglal magában, amelyek első vezető típusú tartományokkal vannak körülvéve, amelyek az alaplemezhez csatlakoznak és van legalább egy szigete, amely magában foglal egy npn (prupj-^tranzisztort, amelyben az emitter réteg diffundált felületi réteg, a bázis réteg pedig ezen szigetben az emitter réteget körülvevő diffundált réteg és a kollektor réteg a szigetnek a bázis réteget körülvevő területe körül van elhelyezve, azzal jellemezve, hogy legalább egy szigetben első vezető típusú takart réteget tartalmaz, és ez egy pnp (npnj-tranzisztor kollektor rétegéhez tartozik, amelyben az emit^ ter réteget első vezető típusú diffundált, felületi réteg alkotja, amely a takart réteg felett van, míg az utóbb említett szigetnek ellenkező — második — vezető típusú területe, amely az emitter réteg és a takart réteg között helyezkedik el„ a bázis réteghez tartozik. 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 8