157760. lajstromszámú szabadalom • Félvezető eszköz, és eljárás annak előállítására

MAGYAK NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS Bejelentés napja: 1967. X. 18. (Pl—281) Hollandiai elsőbbsége: 1966. X. 21. (6 614 858) Közzététel napja: 1970. III. 05. Megjelent: 1971. V. 31. 157760 Nemzetközi osztályozás: H 01 I 7/00 * ) I '• -' n n "\ Feltalálók: Schmitz Albert mérnök, Mulder Cornelis mérnök, Slob Arie mérnök, Eindhoven, Hollandia Tulajdonos: N. V. Philips' Gloeilampenfabriken, Eindhoven, Hollandia Félvezető eszköz, és eljárás annak előállítására A találmány tárgya eljárás félvezető eszköz előállítására, amely több kapcsolási elemet tartalmaz és ezeknek közös félvezető testük van és az eljárásnál egy első vezető típusú félvezető testből, a továbbiakban „ailiaplemez"-ből indulunk ki, amelyben egy szennyezés-diffúziója útján az alaplemez határoló felülétén első vezető típusú felületi zónák mintázatát hozzuk létre, amely lényegesen nagyobb koncentrációban tartalmazza ezt az első vezető típust előidéző szenynyeződéseket, mint maga az alapilemez, és az említett felületre félvezető anyag lecsapatásával ellentétes — második vezető típusú epitaxiális réteget viszünk fel, majd ezután az első fajta vezető típust ,ökozó szennyezőt diffundáltatunk az epitaxiális rétegnek a mintázat fölött fekvő felületi részeibe, miközben egyidejűleg a mintázatból az epitaxiális rétegbe irányuló diffuzót idézünk elő és az epitaxiális rétegben az első fajta vezető típusú diffundált zónák által határolt ellentétes — azaz második fajta — vezető típusú részeket, vagyis szigeteket állítunk elő, amelyek körülbelül az epitaxiális réteg teljes vastagságára kiterjednék, míg legalább egy szigetben szennyezések diffúziójával első fajta vezető típusú zónát alakítunk ki npn (pnp) tranzisztor kialakítására, amelynél ezek a zónák képezik a bázis zónát, illetve az emitter zónát, míg a szigetnek ezen zónát körülvevő része alkotja a kollektor zónát. 10 15 20 25 30 Gyakran kívánatos, hogy nemcsak npn (pnp)tranzdsztart, hanem pnp (npn)^tranzisztort is előállítsanak. Erre a félvezető technikában számos módszer ismeretes. Az első módszer szerint egy szigetben első vezető típusú felületi tartományt alakítanak ki, így ez a felületi tartomány alkotja egy pnp (npn)tranzfeztor emittertartományát, a szigetnek az ezt a tartományt körülvevő része alkotja a bázistartományt, míg a szigetet határoló első vezetési típusú tartományok, melyekhez az alaplemez is tartozik, alkotják a kcdlektortartományt. Ezután az emittertartományt alakítják ki, amelynek vastagsága például egyenlő az npn (pnp)-tranzisztor bázistartoni'ányának vastagságával, az arnitter- és a bázistartomány egyidejűleg alakítható ki. Ezután a pnp (npnptranzisztor minden további lépés nélkül gyártható. Jelentős hátrány azonban, hogy az így kapott pnp (npn)-tranzisztor bázistartománya túlságosan vastag és ez megakadályozza, hogy kielégítő minőségű tranzisztort kapjunk. Bár lehetőség van 'arra, hogy a pnp (npn)-tEfanzisztcH' emittertartományát mélyebben diffundálhassák a szigetbe, úgy hogy ezáltal a bázistartomány vékonyabbá válik, viszont ez esetben további gyártási lépésre van szükség, ugyanakkor a mélydiffúzió időrabló, nehézkes és rosszul reprodukálható művelet. 157760