157663. lajstromszámú szabadalom • Eljárás félvezető eszközök fém kontaktusainak kialakítására
5 157663 400 C°, 10' kimelegítéssel elbontjuk a fotolakkot. A kifűtés N2 gátban, vagy 10~ 4 Torr vákuumiban történhet. Az ily módon készíteltt szeleteket az ismert niódcn dairaboiljuk, állványra szereljük és 300 C°-on arany huzallal kontakitáljuk. Az ismertetett eijiárással 3 V nyitófeszültségű p-csatornás dúsított MOS tranzisztorok készíthetők, melyeknek stabilitása megfelelő. Egy másik felhasználási példa nagy letörési feszültségű tranzisztor fómezési eljárása. Ennél az eljárásnál a műveletek a 2. oldal 7. befcezedésében ismertetettekkel azonosak, a továbbiakban a következők szerint módosul: A fotogravirozási művelet után nem a Mo-t távalítjuk el a nem fémezni kívánt helyekről, hanem az Al-ot alumínium maró szerrel. A Mo réteg továbbra is megmarad a teljes felületen. Ezután a szeletet felmelegítjük a Si és Al eutekitikus pontja fölé, ekkor elbomlik a fotoreziiSizt lakk még mielőtt elérné az eutefctikUs pontot, majd ezt elérve Si—Al eutektikum keletkezik, amely jó ohmos kontaktust biztosít. A további eljárás azonos az előzőekben ismertetekkel. Az ismertetett eljárással a planer Si tranzisztorok kollektor záró feszültségét 200 V fölé lehet emelni. 10 15 20 25 Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás félvezető eszközök fémkontaktu» sainák kialakítására, azzal jellemezve, hogy a félvezető eszköz felületét ibotrító szigetelő réteg egész felületét az eszközhöz szükséges p-n átmenetek kialakítása vagy az utolsó oxidálás illetve oxidkezelési folyamat után milofodén réteggel '(17) vonjuk be, ezután a kontaktus ablakok helyéről a molibdén réteget fotolitográfiai eljárással eltávolítjuk, majd az így kialakított kontaktus ablakok helyén lyukas molibdén réteget (17) maszkként felhasználva maratjuk ki a szigetelő rétegből a kontaktus ablakokat, majd az egész felületre alumínium réteget viszünk fel és e kettős rétegből az ismert módon alakítjuk ki a fémezés végső alakját. 2. Az 1. igénypont szerinti eljiárás foganatosítási módja, .azzal jellemezve, hogy a (18) alumínium réteg felvitele után ismert fotolitográfiai eljárással, a kontaktus helyek kivételével csak az alumínium réteget távolítjuk el, majd az eszközt a Si és Al eutekfaikus pontja fölé melegítjük és ezzel Si—Al eutektikumot képzünk, amelyet beötvözünk a szigetekbe -(2) a beötvözés után pedig a védő molibdén réteget is (17) «eltávolítjuk. 1 rajz, 4 ábra A kiadásért felél: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 7008129. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. 3
