157224. lajstromszámú szabadalom • Eljárás nióbiumot tartalmazó, nagy egykristályok növelésére

157224 feszültségmentesen vághatok ki, kocka alakú­ak, kb. 5 nim-es élhosszúsággal. 4. A csaknem általánosan alkalmazott nagy­frekvenciás^indukciósfűtés a hőmérséklet ho­mogenitása szempontjából kedvezőtlen: A növesztési zónából a kristályok túl gyor­san kerülnek át a ferroélektromos átalakítási hőmérsékleten keresztül a lényegesen alacso­nyabb hőmérsékletű tartományokba. Ezért már jiavasolták „after iheater"-ellenállás alkalmazá­sát (K. Nassau et al., J. Phys. Chem. Solids 27, 989 (1966)]. A nagyfrekvenciás generátorok ezen túlmenően igen költséges tégelyhőmér­séklet stabilizálást igényelnék. Különleges ne­hézséget okoz a nagyfrekvenciás teljesítmény fokozatos csökkentése a növesztési folyamat utáni lehűtés során. A találmány olyan eljárásra vonatkozik, amely egy munkafolyamattal, viszonylag igen nagy és emellett színtelen, egydomenű kris­tályt eredményez. A növesztő berendezés felépítése Az alkalmazott berendezés a hagyományos Zadhralski-féle módszer szerinti. Ebben az eset­ben, a nagyfrekvenciás fűtéssel dolgozó növesz­tési imádszerekkel szemben SiC-ellenállásfűtést alkalmazunk. A pl. LiNb03-olvadék platina té­gelyben van, amely függőleges, nála három­szor magasabb MgO-kerámiacsőben koncentri­kusan áll anélkül, hogy azt érintené. A kerá­miacsövet teljes hosszában fűtő elem öleli kö­rül. A hőmérsékletmérés a szabályozás és az ellenőrzés számiára Pt-PtRh (10%) hőelemekkel történik, amelyek közül egy közvetlenül a té­gely feneke alatt helyezkedik el. Az alkalma­zott szabályozás mellett a termoelemen levő hőmérséklet kb. 1250 C°-nál ± 4 C° pontos­sággal tartható állandó értéken. A kristálymag, ill. a keletkező kristályok féivezetőek, -kb. 700 C°-tól felfelé ionvezetőek. A kristálymag és az olvadék között az ellenál­lásfűtés által előidézett rövidzár lehetővé teszi a ferrioelekitromos fázisban végbemenő átalaku­lás révén keletkező polarizációs töltések távo­zását. A rövidzár megakadályozza, hogy lét­rejöjjön egy külső tér, és így nincs szükség arra, hogy e tér számára járulékos energiát használjunk fel. Aluról történő gázáramoltatás lehetővé teszi a kályha-atmoszféra tetszőleges megválasztását. Olyan oxidáló, nedves atmoszférára van szük­ség, amelyhez indifferens gázok keverhetők. Az adott esetben a létrejött egykristályt ugyanazon a helyen, az olvadáspont alatt, de annak nagyságrendjében levő hőmérsékleten, nedves oxigénben, vagy legalább egy indiffe­rens gázt tartalmazó Oj-keverékben hőkezei­jük. Ezzel a berendezéssel reprodukálhatóan olyan nagy, 15—18 m>m átmérőjű, 30—50 mm hosszú, igen tiszta MeNbOs-kristályak vagy szilárd ol­datok húzhatók, amelyek kis repedási hajlamot 10 15 20 25 S0 35 40 45 50 55 60 65 mutatnak fel (Me jelentése a bevezetésben is­mertetettel azonos). Ellenőrző kísérletek: A) Párhuzamos kísérlet során teljesen azonos feltételek mellett növesztünk, az egyetlen ki­vételt csupán az képezi, hogy nedves oxigén helyett szárazlat használunk. A lehűtési folya­mat során, mint aihogy várható, (repedések lép­nek fel az egykristályban, amelyek azt bizo­nyítják, ,hogy igen tiszta, feszültségmentes, nagy egykristályok előállításához elengedhetetlenül szükséges vízgőz jelenléte a növesztési atmosz­férában. B) Egy további párhuzamos kísérletben is­mert módszer szerint; egy atomszázaiák MgO-val növesztünk, és utána 02 -atmoszférában hő­kezelünk. Olyan feszültségcsökkenést előidéző optimális MgO-koncentrációtartomány van, amelyből nem szabad egyik irányban sem ki­lépni. Ezek a 'kristályok a növesztő készülék­ből való kivétel után egytől-egydg megbarnul­nak, és csupán elektromos tér rájuk kapcsolá­sával végrehajtott 02-hőkezelés révén válnak víztisztává. Ennek ellenére -különösen a katód­közeiben levő részeiken ezek a kristályok meg­repedeztek. A jelenség vizsgálata mutatta, hogy minden MgO^szennyezett kristálynál, 2900 cm_1 -nél egy IR-kettőssáv lép fel. Megállapítottuk, hogy elektromos térben végrehajtott hőkezelés so­rán az MgO hasítása az elektrolitikus folyamat révén elsősorban a katódközeiben történik, míg az anód közelében levő tartományokban nem volt kimutatható az IR-kettőssáv. Ez anódkö­zelben színtelen kristályszerkezetet eredményez, az egész kristályban azonban inhomogenitást idéz elő, és a repedési hajlamot csupán a katód­közeiben levő tartományokra tolja el. A találmány szerinti eljárás ezzel szemben a kristálynövesztő berendezés egyidejű egyszerű­södése mellett az alábbi fontos előnyökkel ren­delkezik: a) Az egykristály rendkívül nagy tisztasága és homogenitása. b) Nagy (40 mm-nél hosszabb), feszültségmen­tes, optikailag igen jó minőségű alkáliniobát-, ill. -tantálát kristályok reprodukálható növesz­tése, amelyek kevés kisszögű szemcsehatárral és ritkán fellépő rendellenességgel közel ideális struktúrával rendelkeznek. c) A maratási ábrákból kitűnik, hogy a nö­vesztés után azok a kristályok, amelyek húzása a C-tengely (001) irányában történt — az elekt­romos rövidzár következtében — gyakorlatilag csak egy iferroelektromos domenből állnak. Csak egészen kicsiny, másképpen irányított do­menű területek lépnek fel. így a kristálynö­vesztést követő hőkezelés sok esetben teljesen el is hagyható. Ezek az előnyök a nedves, oxidáló atmosz­férának (a kristályrácsba sztöchiometrikusan meghatározott H2 0- vagy OH --beépítése nél­kül) és a kristálymag és a tégely (ül. olvadék) közti elektromos rövidzár találmány szerinti .?.

Next

/
Thumbnails
Contents