156636. lajstromszámú szabadalom • Eljárás nagy áramerősítésű tényezőjü, magas érintkezési és letörési feszültségű tranzisztor előállítására és tranzisztor

7 156636 majd az előbb említett emitter ötvöző kályhán újból átengedjük. Az; emitter átmérője kb. 1 mm, a beötvözés mélysége kb. 25 /.i. Az így kialakított átmenet tökéletesen sík és párhuzamos a kollektor átmenettel. V; Szabadalmi igény-pontok: 1. Eljárás nagy áramerősítési tényezőjű, magas érintkezési és letörési feszültségű tranzisztor előállítására, azzal jellemezve, hogy attól a hőmérséklettől kezdve, ahol már az ötvöző fém súlyának mintegy 1%-át kitevő mennyiséget oldalt a kristályból égészen a maximális ötvözési hőfokig az ötvözési hőmérséklet a 10 15 20 0,13 dx 0,1 C°/perc kifejezés szerint növeljük, ahol d = az elektróda átmérője mm-ben x = az elektróda beötvözési mélysége n ben V- a hőmérséklet-emeíkedés sebessége perc-ben >C/ 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja azzal jellemezve hogy legalább az egyik elektródát alumíniumot és indiumot tartalmazó szennyező pasztilla beötvözésével szenynyezzük. 3. Tranzisztor, azzal jellemezve, hogy emitter elektródájának beötvözési mélysége kisebb, mint átmérőjének negyvened része, jellemezve továbbá azzal, hogy kollektor elektródájának beötvözési mélysége legalább háromszorosa az emitter elektróda beötvözési mélységének. 2 rajz, 2 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 7007213. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. 4