156555. lajstromszámú szabadalom • Eljárás Ge és Si epitaxiális egykristály zártrendszerű, szakaszos leválasztására
H565I55 Szabadailmi osztály: 40 d 3/00 Nemzetközi osztály: C 22 f'3'OO Decimal osztályozás: 6Ö9.2/.8—172 odoooo OOßOPC 88ág8§ ooőpoo l *& OOÖOOOO 17%);>SJJ/J)S>J)J)S;/X 3.ábra
/