156135. lajstromszámú szabadalom • Eljárás félvezető elrendezések kontakturásnak képzésére
156135 7 8 tartó daraíbok a félvezető felületével párhuzamos tetőfelülettel keletkeznek. Ennek következtében a például gömbsüveg alakú kontaktustestekkel szemben nagyobb kontaktusiferület adódik a további villamos hozzávezetések elkészítésére. Ezáltal a félvezető áramköri elemek termikus tulajdonságait a nagyo'bb hővezetőképesség és a kontaktus átmeneteken levő csekélyebb áraimsűrűség eredményeként javítjuk. Egy további kiviteli példánál a találmány szerinti eljárást a 3. és 4. ábra kapcsán tranzisztorok koinitaktusiképzésérre mutatjuk be. A 3a ábra szerint először egy n-vezető 1 kristálytárcsiára szokásos eljárással 3 oxidréteget viszünk fel és abban 13 nyílásokat maratunk, Ezen il,3 nyílásokon keresztül akceptoir anyagot diffundál tatunk a kristálytárcsába 14 p-vezető zóna kialakítására. Az afcceptar anyag bediffundál|tiatásánál az 1 kristálytáircsa teljes felületén, tehát a 13 nyílásokban is új li5 oxidréteg áll elő. Ezen 15 oxidirétegibe isimét kis 16 nyílásokat maratunk a szokásos módion. Ezen ,16 nyílásokon keresztül nagy koncentrációval bediffuindáltatunk donor anyagot, úgy hogy az előbb bediffundáltatott 14 p-vezető zónán belül 17 n-vezető zónát állítunk elő. Ezt a munkafolyamatot a 3íb. ábra szemlélteti. A 3c. ábra szerint a 3 oxidréteget az 1 kristálytárcsa teljes felületón egyenletesen megvastagítjuk. Ezután a 14 p-vezető zóna és a 17 n-vezető zóna fölött a félvezető felületén a ,16 és .18 nyílásokat szabaddá tesszük. Maszk alkalmazásával történő rápárolog tatássál a 3d. ábra szerint az 1 kristálytárcsa felületén fémes 19 segédvezetőpályákat állítunk elő oly módon, hogy mindenkor egy eleim 14 p-vezető zónája a szomszédos elem 17 n-vezető zónájával villamosan össze van kötve. A 16 és 18 nyílások szabadra maratásával egyidejűleg a későbbi szétválasztási folyamat megkönnyítésére, amikor az egyes félvezető elemieket elkülönítjük egymástól, a 3 oxidrétegben 20 repesztő rácsot képezünk ki. A 20 repesztőrácsokat a 4. ábra szerint a 19 segédvezető sávok áthaladási helyein meg vannak szakítva, úgy, hogy a 19 segédivezető sávok ezeken a helyeken is el vannak szigetelve a félvezető felületétől. Az 1 krisitálytárcsa másik oldalán valamennyi elem közös 21 elektródját rendezzük el, amely 22 vezetékkel rendelkezik. Adott esetiben a 19 segédvezető sávok felületét részlegesen 2,3 lakkrétegekkel takarjuk, úgy hogy ezekéin a helyeken a későbbi galvanikus leválasztásnál a fém nem vastagodik. Az ilyen módon előkezelt 1 kristalytaresakiat a találmány szerinti eljárás értelmében az első példa szerinti 10 galvánfürdőben kezeljük. Ezen kezelés után a 19 segódvezetőpályák fedetlen felületén 2,5 és 24 kontaktusok keletkeznek a 14 p-vezető, illetőleg 17 n-vezető zónákon. Amikor a tárcsát egyes félvezető elemekre daraboljuk, az átmeneti helyeken a 19 segédvezető sávokat is megszakítjuk. Szabadalmi igénypontok: 7. Az 1—6. igénypontok bármelyike szerinti •eljiárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az egyes p-vezető zónákat (14) segédvezető sávok, útjián a minidenkori szomszédos elemek p-vezető zónáival kötjük össze. (19i67. VII. 18-i elsőbbség.) 8. Az 1—7. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a knistárytárcsába (1) járulékosan p-vezető 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 1. Eljárás legalább egy pn^átmenettel rendéiig kező félvezető elrendezések, különösen diódák, p-vezető zónáinak kontaktusképzésére galvanikus fémleválasztás útján, azzal jellemezve, hogy a félvezető elrendezéseket a kontaktusainyagot tartalmazó fürdőbe (10) merítjük és váltakozó l0 feszültséget vagy változó, különösen periodikusan változó egyenfeszültséget szolgáltató feszültségforrást (8) kapcsolunk egyrészt a félvezető elrendezések legalább egy bázis elektródjára (2), vagy n-vezető zónájának kontaktusára, !5 másrészt az előnyösen kontaktusanyagíból álló eUenelöktródra (9). (1966. XI. 9-i elsőbbség). 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a félvezető elemeket még szétválasztatlanul egy kristály-20 tárcsán sorok és/vagy 'Oszlopok alakjában közös báziseleiktrődon rendezünk el. (1966. XI. 9-i elsőbbség.) 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a 25 galvanikus kontaktusképzés folyamán az eredő fluxusáramot önmagában ismert módon mérjük. (1966. XI. 9-i elsőbbség.) 4. Az 1—i3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, 30 hogy a galvanikus kontaktusképzés folyamán a fürdő váltakozó feszültségének változtatásával az eredő fluxusáramot olyan munkapontra szabályozzuk be, amely egy diódaelem karakterisztikájának ún. ohmos tartományában, 10~6 : — 35 —10~~5 A nagyságrendibein van. (1966. XI. 9-i elsőbbség.) 5. Az 1—4. igénypontok szerinti eljárás félvezető elrendezések, különösen tranzisztorok pvezető zónáinak kontaktus képzésére, amelynél 40 az egyes elemek szétválasztatlanul, sorosan és/ vagy oszlopalak'ban kristály tárcsán vannak elrendezve, és amelyeknek felülete a későbbi kontaktushelyek kivételével védőréteggel van szigetelve, azzal jellemezve, hogy a kristálytárcsa 45 (1) szigetelő védőrétegére (3) a fürdőbe' (10) történő bemártás előtt kemigráfiai eljárás útján segédvezető sávokat (1'9) viszünk fel oly módon, hogy .azokat mindenkor egy-egy elem p-vezető zónájával (14) villamosan összekötjük. 50 (1966. XI. 9-i elsőbbség.) 6. Az 1—i5. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az egyes p-vezető zónákat (14) segédvezető sávok i(19) útján a mindenkori szomszédos ele-55 mek n-vezető zónáival (17) kötjük össze. (1967. VII. 18-i elsőbbség.) 4
