156135. lajstromszámú szabadalom • Eljárás félvezető elrendezések kontakturásnak képzésére

MAGYAB NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS Bejelentés napja: 1967. XI. 09. (FE—712) Német Demokratikus Köztársaság^beli elsőbbségei: 1966. XI. 09. (1—5. igénypontokra), 1967. VII. 18. (6—9. igénypontokra). Közzététel napja: 1969. I. 25. Megjelent: 1970. I. 10. 156135 f1 Szabadalmi osztály. 21 g 1—16 Nemzetközi osztály: H 01 1 Decimal osztályozás: Feltalálók: Heise Siegbert fizikus, Barlin-Oberscihöneweide, Munte Hans-Joachim fizikus, Berlin-Oberschöneweide, Obernik Hartwin fizikus, Berlin, Német Demokratikus Köztársaság Tulajdonos: VEB Werk für Fernsehelektronik, Berlin-Oberschöneweide, Német Demokratikus Köztársaság Eljárás félvezető elrendezések kontaktusának képzésére A találmány tárgya legalább egy pn-átmenettel rendelkező félvezető elrendezések p-vezető zónáinak kontafctusképzésére szolgáló eljárás, amelyet fémeknek galvanikus úton történő leválasztásával végzünk. Az eljárás különösen alkalmas több olyan félvezető elrendezés kontaktusaiinak kialakítására, amelyek például szét nem válaszbottan helyezkednek el egy kristálytálcán, soros és/vagy oszlop-elrendezésben. A félvezető elrendezések kontaktusainak zármentes képzésére alkalmazandó anyagok kiválasztására a kilépési munka, a ihőterjedési együttható stb. szempontjaiból, valamint a geometriai alak tekintetében számos vizsgálatot végeztek és különböző eredmények váltak ismeretessé. A vizsgálatok egy másik szempontját képezik maguk a kontaktusok előállítására szolgáló eljárások. Itt elsősoriban a jó reprodukálhatóság, valamint a gazdasági és technológiai ráfordítás jön tekintetbe, amely félvezető elrendezések tömeggyártásánál szükséges, valamint az a szempont, hogy a fém-félvezető kontaktusnál optimális áramsűrűségi értéket lehessen biztosítani. így például a hozzávezető huzalokat egyszerűen a félvezető elektródokra helyezik és hőkezeléssel ráolvasztják. Egy másik eljárásnál fém« közbenső réteget visznek fel a félvezető kristályra, amely fémanyag egyben dopolásna („szennyezésre") is alkalmas és ezt követően 10 15 20 25 pn-átmenet egyidejű előállításiára a felfekvő felületekbe beötvözik. Ismeretes továbbá olyan eljárás is, amelynél magát a kontaktus anyagot vagy a közbenső réteg anyagát felporlasztják vagy rápárologtatják a kristályra. A nagyobb határfrekvenciák elérése érdekében, amelyekre az utóbbi időiben a félvezető elrendezéseknél törekszenek, felmerült az a követelmény, hogy a pm-átmeneti felületek kisebbek legyenek és ezzel a kontaktus felületek mérete is csökikenjien. Ennek következtében kis felületek kontaktusokkal való ellátásánál a ráfordítás és a nehézség növekszik. Sok esetben alkalmaznak félvezető elrendezések kontaktusainak előállításánál ún. „bonder" .(csatlakoztató) készülékeket, különösen olyan félvezető elrendezéseknél, amelyeknek felülete különösen azokon a részeken, amelyeken a pm^átmenetek hozzáférhetők, oxidrétegek vagy hasonlók által védettek. Félvezető elrendezések kontaktusainak kialakításánál általában több félvezető elemet még egybefüggő bázislemezen, illetőleg kollektorlemezen rögzítenek és ezt követően a kontaktusképző készülék befogadó részébe hozzák. Ott mikroszkóp alatt mozgó fúvólkában vezetett huzalt vagy egyes fémgyöingyöket helyeznek az egyes kontaktusfelületekre és hő és nyomás útján. — termokompiresszióval — villamos vezető összekötStatést létesítenek a félvezető -elemekkel. Hasonló készülékekiben termokompresszió he-156135