155160. lajstromszámú szabadalom • Eljárás szilicium vezérelt dióda "P-N-P-N" átmenet előállítására

155160 fenti oldattal az átmenet védendő felületét vékonyan bekenjük, majd az. oldószer nagyrészét vákuutmexszákká torba téve eltávolítjuk, végül az átmenetet levegőn vagy vákuumban célszerűen 1010—3100 C°-on 1—10 órán keresz- 5 tül hőkezeljük a védőréteg beégetése érdekéiben. A felületilleg védett átmenetet védőgázas szekrényben tokiozzuk. le (9, ábra). Először 34 vezérlő elektróda kivezetését forrasztjuk be, 10 majd az átmenetet 35 bázistönikre forrasztjuk. Ezt követően 36 közbetétet 'helyezünk be, ezután 32 belső átivezetőt, majd 37 toksapikát forrasztunk be. Végül 318 nagyáramú külső elvezetőt és 39 vezérlő elektróda elvezetőt forrasz- 15 tunk föl. A kész dióda keresztmetszetét a 9. ábra mutatja. Szabadalmi igénypontok: 20 1. Eljárás erősáramú szilicium alapanyagú vezérelt dióda „p-n-p-n" átmenet e-3á'U:'tá?;;

ra, melynél „p" típusú diffúziós réteggel ellátott ,,n" típusú szilicium lement (10) , p-n-ip" át- 25 menetté csiszolunk, az átmenetet karakterisztika alakító maratásnak vetjük alá és katód-oldali „n" típusú réteggel (18) látjuk el, az így létesített négy 'réteget „p" típusú ohmos kontaktusokkal (14, H5) és „n" típusú ohmos Í0 kontaktussal (16) látjuk el, az átmenetieket pedig szelektáló mérésnek vetjük alá, azzal jellemezve, hogy a j.p-m-p" (rétegekkel már ellátott szilicium lemezt (10) oxidréteggel (30) vonjuk be, ezt követően átmenetté csiszoljuk és 25 karakterisztika alakító maratásnak vetjük s-á, majd az oxidréteg eltávolítása után közvetlenül a „p-nnp" rétegekkel ellátott lemezt karakterisztika mérésnek vetjük alá, tehát a szelektálást az ohmos kontaktusok felvitele 40 előtt végezzük. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a katód oldali „n" típusú réteget (18) ötvözéssel állítjuk elő. 3. A 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, melynél az „n" típusú ötvözőanyag hordozó férne arany, azzal jellemezve, hogy a szilicium lemezre (10) ötvözés előtt aranyréteget (13) párologtatunk (Fig. 2). 4. A 3. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az ,,n" típusú ötvözőanyagot hordozó aranyat (18) ötvözéskor az aranyat nem nedvesíthető betéttel (23) borítjuk le (Fig. 5). 5. Az 1—4. igényipontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a „p" típusú ohmos kontaktusokat (14, 15) és a katód oldali ,,n" típusú réteget (18) kétlépcsős hőkezeléssel alakítjuk amikoria az első lépcsőiben 5—15 percig 350'—700 C° hőmérsékletű hevítést alkalmazunk, majd legalább 160 C° hőmérsékletre történő lehűtés után 1/2—5 percig 650—^9010 C° hőmérsékletre hevítünk, végül lehűlés után az ,,n" típusú ohmos kontaktust l

(16) keményforrasztással rögzítjük (5. ábra). 6. Az 1—5. igénypontok bánmeiyiike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a szilicium leimezt (10) szélének ferde lecsiszolásával (11) alakítjuk „p-n-p" átmenetté (Fig. 10). 7. A 6. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a ferde csiszolatot (11) 0—5% mennyiségben higroszikópos anyagot tartalmazó hőálló lakkal (33) vonjuk be (Fig. 8). •8. Az 1—7. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az ,,n" típusú réteghez {18) alkotója mentén behasított gyűrű alakú ohmos kontaktust (16) csatlakoztatunk (Fig. 4). 9 rajz, ,12 ábra A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó igazgatója. 6808208. Zrínyi (T) Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. 4