155127. lajstromszámú szabadalom • Eljárás 0,05 mikronnál kisebb felületi érdességű félvezetőkristály-felületek előállítására
MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG -^Sfe5 " ORSZÄGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY Pótszabadalom. a 151 775 lajístromszámú törzsszabadalomhoz . Bejelentés napja: 1966. XII. 16. (MA—1678) Közzététel napja: 1968. III. 30. Megjelent: 1969. V. 20. 155127 Szabadalmi osztály: 48 d1 1/02 Nemzetközi osztály: C 23 f 1/02 Decimái osztályozás: 621.794.442 Feltaláló : Németh Tiborné vegyészmérnök, Budapest Tulajdonos: MTA Műszaki Fizikai Kutató Intézete, Budapest Eljárás 0,05 mikronnál kisebb felületi érdességű félvezetőkristály-felületek előállítására •-* f-A A 151 775 lajstromszámú szabadalom tárgya eljárás 0,06 mikronnál kisebb felületi érdességű félvezető egykristályok előállítására oly módon, hogy a kristályt olyan kis marósebességű maröeleggyel kezeljük, amely oxidálószerként 0—-60 C°-on 5—;li20 perc alatt 0,1—1% jóddal telített 20—60 ccHNC^-t és komplexképző komponensként 40-—00% HF-t tartalmaz. Ujabb kutatásaink során meglepetéssel tapasztaltuk, hogy a félvezető egykristályok felülete 0,05 mikronnál kisebb érdességűre való lemaratására olyan két- vagy többkomponenses maróelegyek is alkalmasak, amelyek oxidáló komiponenseinek hatása olyan intenzív, hogy a kristály felületi atomjainak aktiválási energia különbségei gyakorlatilag eltűnnek. A gyorsított leniaratásra alkalmasnak bizonyultak olyan maróelegyek, amelyek 0,001— —1% halogént, előnyösen jódot és/vagy brómot, 10—40% salétromsavat, 15—30% hidrogénfluoridot, vizet és adott esetben a marás szempontjából közömbös oldószert tartalmaznak, és célszerűen úgy készíthetők el a számított mennyiségű komponensekből kiindulva, hogy a halogént önmagában vagy a marásra közömbös oldószeres oldata alakjában feloldjuk tömény (kb. 65%-os) salétromsavban, és a kapott oldathoz hozzáadjuk a hidrogénifluoridot tömény (kb. 40%-os) vizes oldata alak-10 15 20 25 jában. Készülhet azonban a maróelegy az összetevők bármilyen sorrendben való elegyítésével, illetve oldásával, például úgy is, hogy a halogént Vagy annak oldatát tömény salétromsavból és tömény vizes hidrogénfluorid-oldatból álló elegyben oldjuk fel. A félvezető egykristályoknak a felületi érdességük csökkentésére irányuló kezelését értelem szerint a törzsszabadalomban részletezett módon, a maratni kívánt kristály természetétől függő, adott esetben egyszerű próbával megállapított, 0 és 50 C° közötti hőmérsékleten, a fentebb megadott határok között egyszerű próbával megállapított optimális összetételű rnaróeleggyel végezzük. A legkedvezőbb hőmérsékletnek és maróelegyösszetételnek a megadott határok közötti beállítása ä szakértő köteles tudásához tartozik. Szabadalmi igénypontok: 1. A 151775 lajstromszámú szabadalom továbbfejlesztése 0,05 mikronnál kisebb felületi érdességű félvezető egykristályok előállítására kémiai maratással azzal jellemezve, hogy a félvezető egykristályt olyan maröeleggyel kezeljük, amely 0,001—1% elemi halogént, 10—40% 155127
