153139. lajstromszámú szabadalom • Eljárás oxidpasszivált nagy- és ultranagyfrekvenciás félvezetők előállítására

tartalmazó diódák, tranzisztorok, integrált áramközi elemek és egyéb félvezető eszközök előállítására azzal jellemezve, hogy a technológiában szükséges szilitíumdioxid (Si02

) ré-A kiadásért feléi: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó Igazgatója 6609147. Zrínyi (f) Nyohida, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—23. teg(ek)et, az alaplemezre, vagy az alaplemezen már meglevő oxidrétegre — célszerűen vákuumosán reápárologtatott legalább egy réteg szilícium (Si) oxidálásával képezzük ki.