149918. lajstromszámú szabadalom • Eljárás tiszta félvezető anyag, különösen szilícium előállítására
2 149.918 libdénhuzal, melynek átmérője 1,2 mm. A molibdénhuzalt megfelelő szigetelőanyaggal, pl. alumíniumoxiddal 1—2 tized mm vastagon előzőleg bevonjuk, majd 1600 C°-on hidrogénben kiizzítjuk. Ezt a tömör szigetelőréteget az ábrán —4— gyei jelöljük. Az alumíniumoxiddal bevont huzalt az —5— tantálcsőbe húzzuk, két végét gondosan megtisztítjuk és a —2— elektromos csatlakozással kötjük össze. Ezek célszerűen vízzel hűtött molibdénpofák lehetnek. A Silí4 áramlását megfelelő gondos öblítés után megindítjuk, majd a molibdénhuzalon keresztül áramot vezetünk. Ezáltal az —5— tantálcső felülete felizzik és a monoszilán a következő egyenlet szerint bomlik: SiH4 = Si + 2H 2 Az izzítást folytatva a tantálcső felületén sziliciumkéreg képződik. Miután a rudat, a zónázáslioz megfelelő átmérőre felnöveltük (kb. 15—25 mm), az izzítást megszüntetjük és a rendszert semleges gázzal kiöblítjük. A —2— elektromos csatlakozások megszüntetése után a —3— molibdénhuzal és a rajtalevő —4— szigetelőréteg a tan tálcsőből könnyen kihúzható. A tantálcsövet a sziliciumból fluorsav segítségével könnyen kioldhatjuk. Természetesen a fenti példa csak egy alkalmazási lehetőség, eljárásunk elve ugyanúgy használható bármely félvezető anyagnál, és bármely olyan eljárásnál, ahol a félvezető anyagot annak illékony vegyületéből akár önmagában, akár megfelelő redukáló anyaggal keverve izzó felületen állítjuk elő. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás tiszta félvezető anyag, különösen szilícium előállítására, azzal jellemezve, hogy a félvezető anyag valamely illékony és könnyen bomló, vagy redukálható vegyületét izzó fémfelület fölött vezetjük át és a felület fűtése közvetett fűtéssel történik. 2. Az: 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy az izzó fémfelület tantál, vagy molibdéneső. 3. A 2. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a fémcső fűtőteste szigetelőanyaggal ellátott wolfram-, vagy molibdénhuzal. 4. A 3. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a szigetelőanyag kataforetikusan felvitt és legalább 1600 C°-on rászinterelt alumíniumoxid. 5. Az 1—4. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a félvezető anyagot a következő reakciók valamelyikével állítjuk elő: monoszilán termikus bontása, sziliciumkloroform termikus bontása, vagy hidrogénes redukciója, sziliciumtetraklorid vagy hidrogénes redukciója!, jodid termikus bontása, vagy ciója. 6. Az 1—4. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a félvezető anyag germánium. 7. Az 1—4. igénypontok szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a félvezető anyag a periódusos rendszer 3. és 5. főcsoportja 1—1 eleméből képezett internietaliikus vegyület, pl. galHumarzenid. termikus bontása, ill. sziliciumtetrahidrogénes reduk-A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó" igaagstőja 623195. Ten,- Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21—83,
