149027. lajstromszámú szabadalom • Germánium teljesítménydióda és eljárás annak előállítására

4 149.027 i'ozott n-típusú germánium egykristálylemezre helyezünk, ennek alsó felületére pedig már előzetesen színterelt fémkorongot forrasztunk és az egész összeállítást a megfelelően tiszta és egyenletes p—n átmenet, azaz germánium-indium ötvözött felület előállítására hidrogén atmoszférában ötvöző kályhában kb. 350 C°-ig hevítjük, majd nitrogénáramlásra térünk át és kb. 500 C°-ig tovább hevítjük, ezután kihűlésig az alkatrészeket ebben az atmoszférában hagyjuk. 6. Az 5. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, illetve eljárás az 1—4. igénypontok bármelyike szerinti germánium telj esi tménydioda előállítására, azzal jellemezve, hogy az alul színterelt fémlemezzel, felül pedig fémpohárral határolt germánium-indium dióda alsó fémlemezét elektrolitikus maratáshoz niklkelle-mezre forrasztjuk, majd az egész p—n átmenetet a fémpohárnál fogva rugós forgatható maratófejbe erősítve, célszerűen NaOH vagy KoH alapú elektrolitbe pozitív elektródaként merítve kb. 100/perc fordulattal forgatjuk, mi mellett negatív elektródaként a germániumlemez átmérőjével egyenlő átmérőjű nikkel, platina, vagy más fémből való elektródát alkalmazunk és így a p—n átmenet hengerpalástján levő, különösen germánium-indiuni-ötvözet kb. 10 perc alatt 10—100 mA nagyságrendű egyenárammal elektrolitikusan lemaratjuk, a forgatás következtében pedig a p-^n átmenet kerülete mentén, illetve tangenciálisan áramló elektrolittal egyenletes simafalú maratási árkot létesítünk. 6 rajz A kiadásért felel a Közgazdasági és' Jogi Könyvkiadó igazgatója 614880. Terv Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21-23.