148943. lajstromszámú szabadalom • Eljárás "drift" tranzisztorok előállítására
2 148.943 igény. Ugyanakkor azonos genmániutmmennyiségből közel kétszeres mennyiségű tranzisztorlapkát lehet készíteni. Néha célszerű a lemezek szélét — amelyek a hegesztés során esetleg túlhevültek — eleve kiselejtezni. Az anyagfelhasználás azonban még így is lényegesen kedvezőbb, mint a régi, eddig ismert eljárásoknál. Ámbár az elmondottak értelmében a találmány értelemszerűen számos változatban kivitelezhető, annak jobb megértésére szolgáljon az alábbi példa, amelyre azonban a találmány korlátozva nincsen. Példa: Kiindulásul alapanyagként (111) orientációjú germánium egy kristályt használunk, melyet 0,4 mm vastag, kb. 60X80 'mm -méretű kristályszeletekre vágunk szét. Ezekből üveglapon AI2O3 szuszpenzióval való csiszolás útján planparalel 0,1—0,2 mm vastag lemezeket állítunk elő, melyeket a síkfelület további finomítását célzó polírozásnak vetünk még alá. Esetleges szuszpenziónyomok eltávolítása végett a kristályokat kb. fél percig Super X—1114-ben marjuk, majd savmentesre mossuk és szárítjuk. A végső méret 0,05—0,1 mm legyen. Ezután a kristálylemezeket a fentiekben leírt módon páronként egymásra t helyezve a diffúziós térbe helyezzük, s amennyiben arzént használunk donor-anyagként, a diffúziót kb. 3—4 órai időtartamban végezzük I0-3 —10~ 4 Hgmm nyomás mellett, 800 C° körüli hőmérsékleten. Eközben a germániumoit tartalmazó tér hőmérsékletét a diffúziós behatolási mélység kívánalmainak megfelelően állítjuk be. A diffúzió befejeztével a krisbálylap^árakból kívánt méretű, 30—50 ohmcm faji. ellenállású lemezeket darabolhatunk ki, az összehegesztett peremvégeket pedig eltávolítjuk. A kristálylemezeket ezután enyhe felületi marásnak vetjük alá (^/o-os forró, lúgos perhidrolban marjuk kb. 1 percig), majd az ezt követő vizes ö/blítés és szárítás után az ismert módon ötvözzük. Szabadalmi igénypontok: 1. Eljárás félvezető eszközök (egyenirányítók, vagy erősítők) különösen ún. drift tranzisztorok készítésére, melynek során a félvezető anyagot valamilyen dópoló anyag diffúziós behatásának tesszük ki, azzal jellemezve, hogy félvezető lemezeket összecsiszolt felületeikkel összefogva, párosával helyezzük a diffúziós térbe és tesszük ki a dópoló anyag kívánt mértékű behatásának. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a lemezek pereme 'mentén a két lemez közötti hézagot, a külső tértől légmentesen elzárjuk. 3. Az 1—2. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a párosával összefogott lemezek peremeit összehegesztjük. 4. Az 1—3. igénypontok bármelyike szerinti eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a bediffundáltatás után a párosával összefogott — peremükön összehegesztett — lemezekből a végleges méretű félvezető lapkákat ultrahangos vágással, vagy más önmagában ismert módon, párosával egyszerre vágjuk ki. A kiadásért felel: a Közgazdasági és Jogi Könyvkiadó Igazgatója 61487a. Terv Nyomda, Budapest V., Balassi Bálint utca 21-23.
