148135. lajstromszámú szabadalom • Félvezető, rekesztőréteges rendszer, kiváltképpen tranzisztor vagy kristálydióda, vákuummal szemben tömítő burkolattal, valamint eljárás ennek előállítására

148.135 3 2. példa: Az 1. példával azonos gyártási sorozatból való és ugyanolyan módon előállított germániumtranzisztor áramerősítési tényezője a beforrasztás után 89-et tett ki. Az erre következő igénybevételnél, melynél a tranzisztort 85 C°-ra hevítettük, az áramerősítési tényező értéke egyre tovább süllyedt, úgyhogy 1000 óra után még csupán 30-at tett ki. Ennek a találmány alkalmazása nélkül, ismert módon előállított tranzisztornak a stabilitása különösen rossz volt. 3. példa: A fent említett típusú germániumtranzisztort, az utánmaratást követően, amikor az áramerősítési tényező még 97 volt, 3 óráig vákuumban 145 C°-ra hevítettük („vákuumban sütöttük") és ebben az állapotban üvegburkolatba forrasztottuk. A vákuumban való sütés következtében az áramerősítési tényező 25-re süllyedt, azaz az eredeti értéknek kb. az egynegyedére. Egy erre következő, 85 C° hőmérsékleten lefolyó, 1000 órás igénybevétel folyamán a tranzisztor stabilitása különösen jónak mutatkozott; az áramerősítési tényezője azonban igen alacsony volt. 4. példa: Ugyanilyen p-n-p germániumtranzisztort a találmány szerint vákuummal szemben tömítő üvegburkolatba szereltünk, melyet előzőleg kb. 60%-ig megtöltöttünk száraz szilikon-vákuumzsírral, amely 5 súlyszázalék szemcse alakú, szabad arzént tartalmazott. A szilikon-vákuumzsír teljes menynyisége kb. 60 mg volt. A burkolat továbbá nitrogénből álló gáztöltéssel volt ellátva. A beforrasztás után az áramerősítési tényező 61 volt. Erre a tranzisztort 300 óráig 140 C°-ra hevítettük, aminek következtében az áramerősítési tényező lassanként emelkedett. E stabilizáció után a szobahőmérsékletre lehűlt tranzisztor áramerősítési tényezője 99-et tett ki; ez az érték az erre következő 1000 órás, 85 C°-os hőmérsékleten lefolyó igénybevétel folyamán nem változott említésre méltó módon. Ennek a találmány szerint előállított tranzisztornak a stabiltása tehát különösen jó és az áramerősítési tényező értéke is különösen nagy volt. E kísérletek után a körülburkolást megszüntettük, mire az arzént tartalmazó szilikon-vákuumzsírral körülvett tranzisztor áramerősítési tényezője kb. egy perc alatt 42-re süllyedt. Ezt az utóbbi tulajdonságot az összes, találmány szerinti tranzisztor mutatta. 5. példa: A 4. kiviteli példa szerinti módon előállított, találmány szerinti germániumtranzisztorok egyikének áramerősítési tényezője a beforrasztás után 61-et tett ki. Ezután ezt a tranzisztort 1500 óráig 85 C°-ra hevítettük. Az áramerősítési tényező értéke 100, 500, 1000 és 1500 óra után 75, 87, 90, illetve 93 volt. Ebből kitűnik, hogy ennek az elő nem hevített, találmány szerinti tranzisztornak a stabilitása, a nehéz hőmegterhelés tekintetbe vételével, mégis jó volt. Ezután a tranzisztort 100 óráig 140 C°-ra hevítettük, mire az áramerősítési tényező értéke kb. 107-re emelkedett. 6. példa: Ugyanebből a sorozatból egy germániumtranzisztort nitrogénnel töltött, vákuummal szemben tömítő burkolatba szereltünk, amelyet előzőleg kb. 1 súlyszázalék szabad arzént szemcse alakban tartalmazó szilikon-vákuumzsírral telefecskendeztünk. _ A tulajdonképpeni félvezető rendszert előzőleg SR 98 védjegy néven ismeretes lakkból álló réteggel láttuk el és 10 óráig 140 C°-ra hevítettük. Ennek a találmány szerinti tranzisztornak az áramerősítési tényezője a beforrasztás után 76 volt. 165 órás, 140 C°-ra való hevítés után 94-re emelkedett. 1000 órás szobahőmérsékleten való fekvés után és közbenső mérések alkalmával is az áramerősítési tényező értéke még mindig 94 volt. Ezután a tranzisztort 6 óráig 300 C°-ra hevítettük. A találmány szerinti tranzisztor még ezzel az extrém magas hőmegterheléssel szemben is, amikor is az elektródák olvadt állapotban voltak, ellenállóképesnek mutatkozott. Az áramerősítési tényező a megterhelés után ugyanis 115 volt, míg a kúszóáram és a zörej a különösen alacsony értékeiket megtartották. 7. példa: P-n-p germániumtranzisztort vákuumban szemben tömítő üvegburkolatba szereltünk, amelyben előzőleg kvarcvatta alatt egy kb. 1 mg súlyú arzénszemcsét helyeztünk el. Az áramerősítési tényező a beforrasztás után 63 volt. Ez 50 órás, 140 C°-ra való hevítés után 74-re, 250 órás, 140 C°-ra való hevítés után pedig 99-re emelkedett. Egy erre következő 100 C°-os, 500 órás hevítés alkalmával a villamos tulajdonságok, különösen pedig az áramerősítési tényező változásai 2%-on belül maradtak. Ugyanilyen eredménnyel járt egy ezt követő, huzamosabb megterhelés, amelynél a tranzisztort 50 C°-os környezeti hőmérsékleten 500 órán keresztül 50 milliwattal (kollektorbázis-feszültség: 10 V, emitteráram: 5 mA) terheltük. 8. példa: Ugyanebből a sorozatból való, p-n-p germániumtranzisztort vákuummal szemben tömítő üvegburkolatba szereltünk, mimellett a burkolat és a tulajdonképpeni tranzisztor közötti tér nagy része szilikon-vákuumzsír és 10 súlyszázalék arzénövözet (In : 95 súlyszázalék; As : 5 súlyszázalék) reszelékének keverékével volt töltve. A tulajdonképpeni félvezető, rendszert előzőleg olyan lakkal vettük körül, amely „Araldite" védjegy alatt ismeretes és azt 15 óráig 100 C°-on tartottuk. Az áramerősítési tényező a beforrasztás után 39 volt. 50 órás, 140 C°-os hevítés után e tényező 91-re emelkedett; további 200 órás, 140 C°-os hevítés után e tényező értéke 107-et tett ki. A tranzisztort ezután huzamos igénybevételnek vetettük alá, amelynél azt 50 C°-ra hevítettük és egyidejűleg 50 mW-tal (kollektor-bázis-feszültség: : 10 V; emitteráram : 5 mA) terheltük. Egyheti igénybevétel után az acb szobahőmérsékleten 110 volt. További kéthetes, ugyanilyen megterhelés után az acb

100-at tett ki. Ebből a példából ki-