135987. lajstromszámú szabadalom • Eljárás asszimetriásan vezető rendszer előállítására, melynek félvezetője szelén

Megjelent 1052. évi december hó 15-én. ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS 135.987. SZÁM. 21. g. 1-16. OSZTÁLY. - L-8814. ALAPSZÁM. Eljárás asszimmetriásan vezető rendszer előállítására, melynek félvezetője szelén. Licentia Patent-Verwaltungs-Gesellschaft mit beschränkter Haftung, Berlin. • • A .bejelentés napja: 3942. június 19. Németországi elsőbbsége: 1941. június 20. A találmány szerinti asszimetriásan vezető rendszer, kiváltképpen szárazegyenirányító előállítására, melynek félvezetője szelén. Miként ismeretes, effajta assKimetriáiSan vezeifcő rendszer karakterisztikája olyan, hogy a rendszer alacsony feszültségkörzetekben, tehát mintegy 0,7 Volt alatt az átbocsátási irányban oly csekély áramerősségeket enged át, hogy v

pl. effajta szárazegyenirányító ebben a körzetben nem használható. Ez különösen kellemetlen precíziós mérőkészülékekkel kapcsolatban használt szárazegyenirányítóknál. A találmány feladata az effajta félvezető rendszerek olyan javítása, hogy az áramfeszültség jellemző görbéjét a. kisfeszültségek körzetében megemeljük és ezzel mérési célokra felhasználható erősségű átbocsátott áramot kapjunk. A találmány értelmében evégett, miután önmagában ismert módon a hordozóelektródára felvitt szelén szabad felületét a mérsékelten vezető kristályos módosulatba alakítottuk át, vákuumban tellurnak legfeljebb 10—6 cm vastagságú rendkívül vékony • rétegét gőzöljük fel és ezután, az ellenelektróda felvitele előtt, a szelént hőkezeléssel a roszszul vezető módosulatból a jólvezető kristályos módosulatba visszük át. Az ilymódon elérhető műszaki haladást az alábbiakban mérési eredmények kapcsán ismertetjük. . - ~. Szokásos módon gyártott szelénegyenirányítónál az átbocsátási irányban -p 0,3 Volt feszültség mellett az. áram mintegy 48 fi A. és a záróirányban mintegy 1,2 p A. A találmány szerinti szelénegyenirányító, melynél tellurt* alkalmaztunk, azonos feszültség mellett az áramátbocsátási irányban 115—315,1* A. és az áramzárási irányban 0,45— 0,73 A. áramerősséget szolgáltat, vagyis az áramerősség a szokásos szelénegyenirányítókhoz viszonyítva, a .legkedvezőbb esetben az áramátbocsátási irányban több mint 6-szoros. A találmány szerinti egyenirányítókkal, tehát lényegesen csökkentett feszültségesésű és a kis feszültségértékek feié növelt mérési körzetű egyenirányítókészülékek építtethetők. A találmány szerinti asszimetriásan vezető rendszer felépítését a rajz kapcsán magyarázzuk el. Az -—1— hordozóelektfódán, mely pl. jólvezető felületű könnyűfém lehet, van a -—2— szeléhréteg, melyet a hordozóelektródára ráömlesztéssel vagy vákuumban való felgőzöléssel vittünk fel. A szelén* réteg egyelőre, megfelelő hőkezelés vagy a felgőzölési • folyamat megfelelő vezetése folytán, mérsékelten vezető kristályos módosulatban van. A -—2— szelénrétegen van a tellurból való, vákuumban felgőzölt, rendkívül vékony —3— réteg. A —3— tellur felvitele után 212 C° hőmérsékleten mintegy 1 óráig való hevítéssel alakítjuk át a szelént a jólvezető kristályos módosulatába és azután szokásos módon, pl. fecskendezőeljárással, az alacsonyan olvadó fémből való —4-— elektródát visszük fel. Ha szükséges, az elektróda felvitele után az egész rendszert utólagosan hőkezelhetjük mintegy 60 C° hőmérsékleten a záróirányban való áramterhelés mellett. . Szabadalmi igénypont: Eljárás asszimetriásan vezető rendszer előállítására, melynek félvezetője szelén és mennél a szelén kristályosodási folyamata és a formálás között záróréteget képező kezelést alkalmazunk, melyre jellemző, hogy a mérsékelten vezető kristályos módosulatba vitt szelénfelületre szobahőmérsékleten vákuumban legfeljebb 10—6 cm vastagságú tellurréteget gőzölünk fel és azután a szelént hőkezeléssel a rosszul vezető módosulatból a jólvezetö kristályos módosulatba alakítjuk át. 1 rajzlap-melléklettel. A kiadásért felel a Tervgazdasági Könyvkiadó igazgatója. Terv Nyomda — 1572 — F. Sumite István