123686. lajstromszámú szabadalom • Elektrodarendszer
2 1236S6. Kristálynak detektorként való alkalmazásakor tehát kihegyezett fémérintkezőszerwcl a krisíályfclületet addig kell letapogatni, míg egyenirányító hatású 5 pontot nem találtunk. A kapacitás nagyságát ez esetben nem lehet előre meghatározni. E hátrányok a találmány szerinti elektródarendszernél nincsenek meg. E 10 rendszereknél a záróréteg mindegyik pontja egyenirányító hatású ha mindegyik oldalon az egyik végélektróda egy pontja a másik végélektróda egy pontjával szemközt van. 15 A találmány lehetővé teszi, hogy az önkapacitást rendkívül kicsinnyé tegyük, mert az érintkezőszervek legalább egyikét lehetőleg kicsiny felülettel alakítjuk:, a záróréteg vastagságát pedig lehetőleg 20 csekélynek választjuk, de úgy, hogy a rendesen rákapcsolt feszültségnél átütés veszélyét elkerüljük. A találmány szerint a kívánt hatás eléréséhez kombináltan alkalmazott rendszabályok az ismeretebősekkel ellentétbén lehetővé teszik, még pedig tömegygártás esetére is, az ily cella határozott, reprodukálható értékű önkapacitásának előzetes meghatározását és megvalósítását. A reprodukálhatóság 30 különösen fontos azzal kapcsolatosan, hogy az önkapacitás a cellát tartalmazó körre bizonyos befolyást gyakorol. A legkedvezőbb hatás elérésére e kör tervezésénél bizonyos rendszabályokat alkal-35 máznak. Ha az egyes cellák önkapacitásai egymástól eltérnek, ezek a rendszabályok mégsem érvényesülhetnek, ha a körhöz igazított, eredeti cellát egy másik cellára kicserélik. 40 A találmányt még részletesebben a rajzon látható néhány foganatosítási példájának vázlata kapcsán magyarázzuk ineg. Az 1. ábra szerinti foganatosítási példa 45 oly elektródarendszer, melynek külön felvitt sziliciumoxidzárórétege és korlátolt érintkezőfelületű jövezető elektródája van. ' Az 1. ábrán a rézből való (1) alapfémre 50 a kuproszulfid (Cu2 S)-ből való félvezető (2) elektródát sajtolással vittük fel. A félvezetőn a (3) záróréteget adagolt mennyiségű sziliciumoxid (Si02 )-nak, pl. 5 [A vastagságig való rágőzösítésével léte-55 sítjük. E zárórétegre a vasból való és kicsiny, pl. 0.25 mm2 felületen érintkező, jóvezető (4) elektródát visszük fel. ] E rendszer kapacitását ez esetben a Si02 -réteg vastagsága és a (4) vas érintkezőfelületének nagysága szabja meg: 60 e két értéket pedig uraljuk. Ily rendszer kapacitását, mely pl. 7.5 cm, a gyakorlatban tömeggyártással minden egyes rendszernél teljesen egyenletesen és reprodukálhatóan kapjuk. Az eltérések gyakorla- 65 tilag a kívánt, helyes értéknek csupán néhány százalékát teszik ki. Ugyanígy . van ez a következő példáknál is. A második foganatosítási példa oly eíektródarendszer, melynél a jóvezető (5) 70 elektróda (2. ábra) alumíniumból van. Ez utóbbit elektrokémiai úton amorf, illetve kristályos alumíniumoxid (A]2 O s )ból való (6) záróréteggel látjuk el. Ä (7/ félvezetőhöz molidbénszulfidot (MoS2) al- 75 kalmazunk, melyet a zárórétegre sajtolunk. A rendszer önkapacit ásának korlátozására a (8) bevezetőszerv érintkezőfelületét korlátozzuk, mégpedig azzal, hogy oly vékony rézdrótot alkalmazunk, 80 melynek keresztmetszete 0.3 mm2 -t meg nem halad. A (7) félvezető nagy ellenállása miatt feltételezhetjük, hogy a vezetésben e (7) rétegnek csupán az az oszlopa vesz részt, mely a (8) árambevezetődrót foly- 85 tatása, úgyhogy a kapacitást ennek az oszlopnak a végfelülete szabja meg. Ez esetben tehát tényleg e (8) árambevezetődrót. a rendszer kapacitását befolyásoló rész, mert a kapacitás e drót érintkező- 90 felületének nagyságától függ. A záróréteg vastagságát előre megszabhatjuk, mert e réteg elektrokémiai formálásánál a rétegvastagságot az alkalmazott formálóáramból és az időtartam- 95 ból számíthatjuk ki, mimellett az elektrolit választásával is számolunk. Ez esetben is az önkapacitás teljesen határozott. A harmadik foganatosítási példa oly elektródarendszer, melynek félvezető 100 elektródája szelénből van (3. ábra). A (9) sárgarézlemezre a (10) szelént folyékony állapotban visszük fel és 0.03 mm vastagságig laposan szétkenjük. Az egészet kemencébe helvezzük és bizonyos ideig 10E (2—24 óráig) kb. 200 C° hőmérsékletre hevítjük. E kezeléssel az amorf szelént a vezető, kristálvos módosulatba visszük át. Az elektropozitív elektróda oly (11) il( vasdrót, melynek felülete az alsó oldalon 0.25 mm2 . E felületet, valamint esetleg a drót oldalfelületének egy részét is (12) ' záróréteganyaggal vonjuk be, mely mű-
