116651. lajstromszámú szabadalom • Eljárás finoman felosztott fémrétegek előállítására

2 116651, közbenső rétegként, csillámlemezeket vagy más., a szigetelés és hőtutajdonság tekintetében egyenértékű alapokat, pl. kerámiai anyagot, bizonyos üvegfajtákat s i. t. alkaL 5 maznak. mimellett ez alapok felülete célszerűen fényesre csiszolással simított. Ez alapokra készül alkalmas módon fémbevonat, példaképen ezüstözés vagy vörösrezezés, Ily fémezés példaképen kaLódlszétpor-K lasztással vagy termikus rágőzölegtetéssel állítható elő. A fémezett lemezeket aztán közömbös gáz almoszférájában vagy vákuumban nagy hőfokra hevítik. Az eddiig használt eljárásoknál a fém-15 borítás oly vastag, hogy az többé már nem átlátszó. A szemcséződés elérésére (granuláció) a hőfokokai igen magasra, egészen az olvasztási pont közelébe kell felhajtani, ezüstnél pl. kb. 1000°-ra, lio-gy 20 az ezüstréteg rövididejű megolvadását érjük el. mimelleU aztán a felület az előbbi szerkezetnél küLien egységes fémfelületből kis, egymástól szigetelt, csekély átmérőjű fémeseppecskékből álló mozaikká alakul 25 át. E íelhevíté&L célszerűen igen gyorsan kell elvégezni, példaképen örvényáramhevítéssel nagyfrekvenciájú kemencében. Emellett a fémes borítást nem közvetlenül, hanem közvetve, fíítőlemezről való sugár-30 zással hevítik. Ez eljárásnak az a jelentékeny hátránya van, hogy a magas, mintegy 1000°-ra váló felhevílésnél a csillám kedvezőtlenül megváltozik, vagy megsérül. Már most azonban kitűnt, hogy a csepp-35 képződés sokkal kisebb hőfokoknál elérhető, ha a fémréteg elegendően vékony. A csöpp képződés ennél nyilvánvalóan egészen más újfajta fizikai-kémiai hatás szerint következik be, minthogy az ez eset-40 ben szükséges hőfok (400—500°) egészen más nagyságrendű és messze az olvasztási hőfok alatt van. A találmány értelmében igen vékony, mintegy 1/10—1/100 (J. vastagságú fémrétiegeket használunk. Így lé-45 nyegesen kisebb hőfokokkal (500° C alatt) lehet célt érni, ami a csillám csekély hőállóképességének figyelembevételével, ily anyag alkalmazásánál fontos. Más anyagok használatánál, mint kerámiai anyagok, 50 vagy üveg, az alap felületét célszerűen fényesre csiszolással simítjuk, hogy a hevítőeljárásban a szigetképződést gyorsítsuk. A találmány szerinti eljárásnál a fémréteget egy már felhevített alapra csapathatjuk le, úgy hogy rögtön csöppecskék 55 képződjenek; csállám alkalmazásánál azonban a lecsapott fém utólagos felhevítésének fent leírt eljárása előnyben részesítendő. A 2—4. ábrákon vázlatos ábrázolásban van a találmány szerinti eljárás keresztülvite- 60 lére való elrendezés példaképen feltűntetve. Itt a 2. ábra szemlélteti a közvetett felhevítést az (1) hevítőlemez útján, mely lemez sugárzással a (3) alátétanyagon, példaképéül csillámon, elrendezett ezüsLréteget 65 felhevíti. Minthogy e felhevítósnek pillanatnyilag kell bekövetkeznie, a felhevítést célszerűen örvényáramokkal végezzük, amit vázlatosan a (4) nagyfrekvenciájú tekercsesei ábrázoltunk. 70 A 3. és 4. ábrákon a kész termék példaképen van feltüntetve. Itt a (9) dielektromos réteg a (10) és (11) borítások alapja. Ennél a (10) borítás a legfinomabb elemi részecskékre szétbontott vékony íémréte- 75 get ábrázolja, míg a (11) borítás a fotocellaelrendezés kapacitív ellenfegyverzete. Szabadalmi igények: 1. Eljárás finoman felosztott fémrétegek előállítására, azzal jellemezve, hogy 80 1/10—1/100 p. vastagságú ezüstréteget hőkezeléssel oxigéntartalmú atmoszférában 500° alatti oly hőmérsékleteken szemcséssé teszünk, amelyeken a réteg szigetelő alapjának anyaga hosszabb hő- 85 mérsékletbehatásnál is még teljesen változatlan marad. 2. Az 1. igénypontban védett eljárás foganatosítás! módja, azzal jellemezve, hogy a felhevítési folyamatot örvényáramok- 90 kai nagyfrekvenciájú kemencében végezzük. 3. Az előző igénypontok bármelyikében védett eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a felhevítést köz- 95 vetett módon, fűtőlemez sugárzásával végezzük. 4. Egy vagy több előző igénypontban védett eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy alapként csillámot, 100 üveget vagy keramikus anyagokat alkalmazunk. 5. Egy vagy több előző igénypontban védett eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a szigetképződés gyor- 105 sítására az alap felületét fényesre csiszolással simítjuk. 1 rajzlap melléklettel.