105785. lajstromszámú szabadalom • Negatív ellenállás
kell lennie arra, hogy vele egyfajtája fémvegyületekkel komplexvegyületeket képezzen és ezeknél a savanyú alkatrészt alkossa. Komplex vegyületeken oly vegyü-5 letek egyesülését értjük, amelyek önmagukban is fennállnak és a vegyértéíktan értelmében telítettek. A wolframoxid (W03 ) például önmagában is fennálló vegyület, amely vele egyfajtájú, tehát oly 10 vegyülettel, amely szintén oxid, pl. kalciumoxiddal (CaO), komplexvegyületet, jelesül kalciumwolframátot (Ca0.W03 = CaW04 ) alkot. E vegyületben a (W03 ) alkotja a savanyú alkatrészt és ezért nega-15 tív ellenállás céljaira felhasználható. Minél erősebben jut a fémvegyület savanyú jellege kifejezésre, annál alkalmasabb az. 4. A másik, az elsővel egyfajtájú fémvegyületnek oly tulajdonságúnak kell 20 leninie, hogy a fémhez kötött atóm vagy atomcsoport könnyen leihasadhat, azaz más szavakkal a fémvegyületnek könnyen disszociálódónak kell lennie. Minél könynyebben disszociál a fémvegyület, annál 25 alkalmasabb a negatív ellenállás céljaira. Szabadalmi igények: 1 Negatív ellenállás, azzal jellemezve, hogy két egyfajtájú szilárd fémvegyü-30 let, melyek az áramot elektrolitos bomlás nélkül vezetik, egymást vezetően érintve, áramkörbe van kapcsolva, ahol is az egyik fémvegyület egyfajtájú fémvegyületekkel komplex vegyü-35 leteket képes alkotni és emellett a savanyú alkatrészt képezi, míg a másik fémvegyület könnyen disszociál. 2 Az 1. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jelle-40 mezve, hogy a komplex vegyületeket alkotni képes fémvegyületek lehetőleg savanyú savanhidridek, míg a disszociálható fémvegyületek oly fémek oxidjai, amelyek vegyértéküket köny-45 nyen képesek változtatni és lehetőleg erősen Tratalitos tulajdonságúak. 3 A 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a savanhidrid óndioxid. 60 4 A 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a savanhidrid titánsavanhidrid. 5. A 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a savanhidrid wolframsav. 6. A 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a savanhidrid zinkoxid. 7 A 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a savanhidrid vasoxid. 8. A 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a savanhidrid krómoxid. 9. A 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a savanhidrid mangánoxid. 10. A 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a könnyen disszociáló oxid titánsavanhidrid. 11. A 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a könnyen disszociáló oxid uránsavanhidrid. 12. A 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a könnyen disszociáló oxid rézoxidul, IS. A 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a könnyen disszociálóoxid rézoxid. 14. A 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy a könnyen disszociáló oxid vanadiumsavanhidrid. 15. Az 1. és 2. igényben védett negatív ellenállás foganatosítási alakja, azzal jellemezve, hogy vegyileg semleges elektródán (grafiton) a 2. igény szerint a savanhidridekhez tartozó fémoxid vékony rétege, másik vegyileg semleges elektródán pedig vékony rétegben oly fémoxid van lecsapva, amely oxigénjét lehetőleg könnyen adja le ás hogy a két elektróda egymással érintkezik, amikor is a fémoxidelektródnak, amely oxigént könnyen ad le, negatívra polaritása van. 16 Eljárás az 1. és 2. igényben védett negatív ellenállás előállítására, azzal jellemezve, hogy lehetőleg erős savanhidrid-jellegű fémoxidot finomra porítunk és oly fémoxiddal, amely oxigénjét könnyen adja le és hasonlóképen finoman porított, bensőleg keverünk és -TEt"kev^réket két fémkölyű között páéi^kístebb rétegvastagságra saj-60 65 70 75 80 85 90 95 100 10&
