104186. lajstromszámú szabadalom • Eljárás kriptonban és xenonban vagy ezek egyikében szegény gázelegyek dúsítására

— 2 — sítására, azzal jellemezve, hogy azokat termikus diffúziónak vetjük alá és a dúsított frakciót külön elvezetjük. 2. Az 1. igényben védett eljárás foganato-5 sítási módja, azzal jellemezve, hogy a kriptonban és xenonban, vagy ezek egyikében, dúsított gázelegyeket egyszer vagy többször megismételt termikus diffúziónak vetjük alá. 10 3. Az 1. és 2. igénypontban védett eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a dúsítandó gázelegyet a közönséges nyomásnál magasabb nyomáson vetjük alá termikus diffúziónak. 15 4. Az 1—3. igénypontokban védett eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve. hogy a dúsítandó gázelegyet folytonos áramban vetjük alá termikus diffuziónak. 2() 5. Az 1—4. igénypontokban védett eljárás foganatosítási módja, azzal jellemezve, hogy a dúsítandó gázelegyet több, kaszkádszerűen kapcsolt, termodiffuzoron vezetjük át. 9r 6. Az 1—5. igényekben védett eljárás fo- J,) ganatosítási módja, jellemezve téglánykeresztmptszetű, csőalakú termodiffuzorok alkalmazásával, melyeknek két szembenfekvő, célszerűen nagyobb kiterjedésű, oldalait tartjuk a termikus 30 diffúziót előidéző alacsony, ill. magas hőmérsékleten. i'ullas nyomda. Budíipwt.