Szabadalmi Közlöny és Védjegyértesítő, 2003. július-szeptember (108. évfolyam, 7-9. szám)
2003-07-01 / 7. szám
P956 HOIL BB9A Szabadalmi bejelentések közzététele 2003/7 - SZKV (54) Eljárások szilícium nanostruktúra, szilícium kvantum huzalrács, valamint ezen alapuló eszközök előállítására (30) 99124768 1999.11.25. RU (86) PCT/IB 00/01397 (87) WO 01/39259 (74) Pintz György, Pintz & Társai Szabadalmi és Védjegy Iroda, Budapest (57) Eljárás szilícium nanostruktúrák, például szilícium kvantum huzal rács (7) szabályozható előállítására. Ultra nagy vákuumban, egyenletes nitrogén molekula-ion sugárral szilícium felületet poriasztunk periodikus hullámszerű felszíni minta kialakítása érdekében, amelyben az említett minta hullámvölgyei a SOI anyag szigetelő- (4) szilíciumrétegének (6) határfelületével egy szintben helyezkednek el. Az ionenergia, az ionok beesési szöge az említett anyag felszínéhez képest, a szilíciumréteg (6) hőmérséklete, az említett hullámszerű felszíni minta kialakulási mélysége, magassága valamint az ionok szilíciumba való behatolási mélysége a hullámszerű felszíni minta kiválasztott, 9 nm és 120 nm közötti tartományba eső hullámhossza függvényében kerülnek meghatározásra. Egy függesztett élekkel rendelkező ablakkal ellátott szilícium nitrid maszk jelöli ki a szilícium felületén azt területet, ahol a rács (7) kialakításra kerül. A porlasztás előtt a maszkoló ablak területe alatti szilícium felületről eltávolítjuk a szennyeződéseket. A szilícium kvantum huzal rács (7) előállításához a SOI anyag szilíciumrétegének (6) vastagságát oly módon választjuk meg, hogy az nagyobb legyen az említett hullámszerű felszíni minta említett kialakulási mélységének, említett magasságának, valamint az említett ion behatolási mélységnek az összegénél. A szilícium huzalok előállításának szabályozása a SOI anyag szigetelőrétegéből (4) kibocsátott szekunder ion emissziós jel határértéke segítségével történik. A nanostruktúra optoelektronikai és nanoelektronikai eszközökben, például FET-ben alkalmazható. egyenletes^, N2* ionsugár ' kvantum huzaliács 7 ion emisszió a SOI szigetelőrétegéből SOI a porlasztás befejezésekor 1 b ábra * 71 72 * 74 (51) H01L 27/15,31/00, H01S 5/183, 5/40, 5/02 (13) A2 (21) P03 00608 (22) 2001.04.12. (71) Honeywell International Inc., Morristown, New Jersey (US) (72) Lui, Yue, Plymouth, Minnesota (US) (54) Felső megvilágítású opto-elektronikai eszközök mikro-optikai eszközökkel és elektronikus integrált áramkörökkel integrálva (30) 09/547,538 2000.04.12. US (86) PCT/US 01/11996 (87) WO 01/80285 (74) dr. Bokor Tamás, S.B.G. & K. Szabadalmi Ügyvivői Iroda, Budapest (57) A találmány tárgya eljárás optikai-elektronikai eszközök tokozására, mely eljárás során felső kibocsátó/érzékelő eszközt (180, 190) alakítanak ki hordozó rétegen (110), melynek felső érintkező felületei (113) és azokon felső oldala (117) van és a hordozó réteggel (110) szemben helyezkedik el, és ahol a hordozó rétegnek (110) alsó oldala (115) van a felső oldallal (117) szemben, optikilag áttetsző felső réteget ( 120) kapcsolnak a felső kibocsátó/érzékelő eszköz (180, 190) felső oldalára (117) úgy, hogy felső felülete (125) legyen a hordozó réteg (110) felső oldalával ( 11 7) szemben, kivezetik a felső érintkező felületeket az alsó oldalra (115), ott alsó érintkező felületeket (140) alakítanak ki, és összekötik azokat a felső érintkező felületekkel (113). A találmány tárgya eljárás nagy sűrűségű be/kimeneti képességgel rendelkező, integrált áramköri eszközön lévő optikai-elektronikai eszköz tokozására, mely eljárás során továbbá mikro-optikai eszközökből ( 130) álló szeletet integrálnak az optikailag áttetsző felső réteg (120) felső felületére (125) úgy, hogy a mikro-optikai eszközök (130) optikai feldolgozó képességet biztosítsanak a felső kibocsátó/érzékelő eszközök (180, 190) sokaságának, lapkákra vágják a mikro-optikai eszközökkel ( 130) ellátott optikai-elektronikai eszközöket, hogy optikai-elektronikai lapkákat állítanak elő, és kötést létesítenek az optikai-elektronikai lapka alsó érintkező felületei és a nekik megfelelő, integrált áramköri eszköz érintkező felületei ( 124) között, hogy optikai-elektronikai integrált áramköri eszközt állítanak elő, mely nagy sűrűségű optikai be/kimeneti képességgel rendelkezik integrált áramköri eszközön (150). A talmány tárgya optikai-elektronikai eszköz, mely el van látva hordozó réteggel (120), felső kibocsátó/érzékelő eszközökkel (180, 190), melyek a hordozó rétegen (120) vannak kialakítva úgy, hogy legyen felső oldaluk (117), és amelyek fényt bocsátanak ki és fényt érzékelnek a felső oldaltól (117), és ahol a hordozó rétegnek (120) a felső oldallal (117) szemben alsó oldala van (115), ahol a felső kibocsátó/érzékelő eszköz (180,190) továbbá érintkező felületekkel (113) vannak ellátva a felső oldalon (117), melyek össze vannak kötve a felső oldali érintkező felületekkel (113), hogy a felső oldali érintkezők (113) ki legyenek vezetve az alsó oldalra (115), és optikailag áttetsző felső réteggel (120), mely a felső kibocsátó/érzékelő eszközök (180,190) felső oldalához van kapcsolva úgy, hogy az optikailag áttetsző, felső réteg (120) az alsó oldallal (115) szemben legyen, és ahol az optikailag áttetsző felső réteg (120) a felső oldallal (117) szemben lévő felső felülettel (125) van ellátva. A találmány tárgya optikai-elektronikai integrált áramköri eszköz, mely el van látva továbbá mikro-optikai eszközökkel (130), melyek optikai feldolgozó képességet biztosítanak kibocsátó/érzékelő eszközöknek (180,190), és integrált áramköri eszközökkel (150), melyek nagy optikai be/kimeneti kapacitású integrált áramköri eszközt biztosítanak. 100/ 1. ábra (51) H01L 31/048, B32B 31/08, 31/10, 31/20, 31/26 (13) A1 (21) P03 00374 (22) 2001.03.05. (71) Isovolta Österreichische Isolierstoffwerke AG., Wiener Neudorf (AT) (72) Plessing, Albert, Brunn (AT) (54) Eljárás fényelektromos vékonyréteg-modul előállítására (30) A 387/2000 2000.03.09. AT A 1698/2000 2000.10.05. AT (86) РСТ/АТ01/00061 (87) WO 01/67523 (74) dr. Harangozó Gábor, DANUBIA Szabadalmi és Védjegy Iroda Kft., Budapest (57) A találmány tárgya eljárás fényelektromos vékonyrétegmodul előállítására. A találmány szerinti, egy hordozóanyagra (3) felvitt és adott esetben mindkét oldalán többrétegű bevonó réteggel (4) ellátott vékonyréteg-alapú napelemrendszert (2) tartalmazó vékonyrétegmodul előállítására szolgáló eljárás lényege, hogy egy ragasztási lépés során egy védőrétegből (9) és viaszrétegből (5) álló, többrétegű bevonó réteget (4) egy ragasztóállomáson úgy vezetnek rá egy vékonyréteg-napelemrendszerre (2) és annak hordozóanyagára (3), hogy a viaszréteget (5) a vékonyréteg-alapú napelemrendszerre (2) helyezik rá, majd megnövelt nyomás és - szükség esetén megemelt hőmérséklet alkalmazásával fényelektromos modult ( 1 ) hoznak létre többrétegű eszköz formájában. 1
