Budapesti Műszaki Egyetem - tanácsülések, 1985-1986
1986. június 9. (1399-1629) - 1. Javaslat tiszteletbeli doktori cím adományozására - 2. Javaslat a BME Emlékérme adományozására - 3. Beszámoló a Villamosmérnöki Kar munkájáról - 4. Az Egyetem 1981-85. évi kutatási terve végrehajtásának értékelése és az 1986-90. évekre szóló középtávú kutatási terve - 5. Javaslat doktori oklevél honosítására - 6. Különfélék
KÖZPONTI OKTATÁSI EGYSÉGEK Fizikai Intézet Szilárdtestfelületek, határfelületek kísérleti és elméleti vizsgálat a Trkl A témán belül foglalkoztak a szegregációs folyamatok uj szabadfelületü termodinamikai modelljével, ezt általánosították tetszőleges felület esetére, igy a modell fázishatárok és szemcsehatárok leírására is alkalmas. Megfogalmazták a szakirodalomban mások által is megfigyelt alternáló szegregációs profilok termodinamikai feltételeit. Az elmélet alapján számításokat végeztek számos egykomponensü, több kétkomponensű egyfázisú reális ötvözetek szabadfelületein az egyensúlyi felületi szabadentalpia értékére. A számítási eredmények jó egyezést mutatnak a kísérleti adatokkal. A porlasztásos mélységi felbontóképesség értékelésére kidolgozott módszert kiterjesztették eltérő egyedi rétegvastagságú struktúrákra is. A felbontóképességet Cu-Cr szendvics-szerkezet esetében meghatározták. Kimutatták, hogy a krómnál asszimetrikus profiltorzulás lép fel. Megállapították, hogy a felbontóképesség romlását a Cr feldusulása /Cu kedvezményezett porlasztása/ és a króm oxigénhez való affinitása okozta. A szilárdtestekben rugalmatlan energiaveszteségek leirására uj elméleti leirást dolgoztak ki nagyrendszámu bombázóion, ill. proton esetére. Elektronikai ipari technológiák műszaki-fizikai alapjainak a kutatas a /Tk/ a/. Párologtatott és implantált vékonyréteg technológia-fejlesztést szolgáltak a Ga/Si, a B/Si és az As/Si határfelület összetétel, ill. mélységi és laterális eloszlás-vizsgálatok. b/. Elvégezték a porlasztott és párologtatott vékonyréteg áramkörök felületi, határfelületi és köztes összetételének meghatározását a technológiai lépések rövid visszacsatolásu optimalizálása céljából. Kvantumelméleti kutatáso k /Tk/ a/. Általánosították a multipol sorfejtést és egy Dini-sorfejtésen alapuló eljárását dolgoztak ki nemlokális potenciálok meghatározására és lokalizációjára, amely során energiafüggő lokális potenciálokat nyertek. b/. Ab inició szintű integrál- és SCF program-rendszert dolgoztak ki, amely figyelembe veszi a tárgyalandó rendszer szimmetriáját és igy lehetőséget nyújt a számítási munka csökkentésére. c/. A többtest-perturbáció elméletét általánosították lokalizált pályákra, ami lehetővé teszi a lokális és nemlokális korrelációs hatások szétválasztását és a módszer alkalmazását térbelileg kiterjedt rendszerekre. di A Si és C /111/ felületét és a felület torzulásait modellezték klasztermodellel. Klaszterek geometriai szerkezetét számolták atomtávolság/kötésrend-függvény alkalmazásával. Kiszámították egy egyszerűsített SCF módszerrel három- és négyatomos egyszerű fém klaszterek geometriáját. 82
