199039. lajstromszámú szabadalom • Rétegszerkezet MOS és CMOS févezető eszközök előállítására és eljárás az előállítás megvalósítására

(19) Omágkód:

HU

SZABADALMI

LEÍRÁS

(11) LajstromszÁm:

199039 B

MAGYAR

KÖZTÁRSASÁG

SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY

(22) Bejelentés napja: 1984.11.02. (21) 4070/84

(40) Közzététel napja: 1986.08.28.

(51) Int. Cl.4 H 01 L 29/78

ORSZÁGOS

TALÁLMÁNYI

HIVATAL

(45) Megadás meghirdetésének dátuma a Szabadalmi Közlönyben: 1989.12.28.

(72) Feltalálók:

(73) Szabadalmas:

dr. MOTÁL György,

22%,

Mikroelektronikai Vállalat,

HUSZKA Zoltán,

18%,

Budapest, (HU)

ASZTALOS András,

15%,

dr. ERDÉLYI Katalin,

15%,

KERESZTES Péter,

15%,

PODMANITZKY István, Budapest, (HU)

15%,

(54) RÉTEGSZERKEZET MGS ÉS /VAGY CMOS EÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK ELŐÁLLÍTÁSÁRA ÉS ELJÁRÁS AZ ELŐÁLLÍTÁS MEGVALÓSÍTÁSÁRA

(57) KIVONAT

A találmány tárgya rétegszerkezet MOS és/-vagy CMOS félvezető eszközök előállítására, elsősorban monolitikus integrált áramkörök- 5 ben történő alkalmazáshoz, amely félvezető eszköz tranzisztorai szilícium alapszeletben lévő source és drain tartományokat, továbbá ezen tartományokhoz fizikailag elektromosan kapcsolódó, egymástól viszont elszigetelt so- io urce elektródát és drain elektródát, valamint ezektől gate-dielektrikummal elválasztott gate elektródát tartalmaznak, a gate elektróda illesztő tartományok közbeiktatásával illeszkedik a source és a drain tartományhoz, ezen- 15 kivül a félvezető eszköz a source, drain és a gate elektródákhoz csatlakozó összekötő fémezésekkel és adott esetben vezetékekkel van ellátva.

Jellegezetessége, hogy a source elektró- 20 dák (16, 16a), a drain elektródák (15, 15a) és a gate elektródák (13, 13a) célszerűen

N25-10ls atom/cm3 koncentrációban adalékolt poliszilícium rétegből vannak előállítva, amelyeket amorf- vagy polisziliciumból annak 25 teljes mélységű átoxidálásával létrehozott

szigetelő oxidréteg (11a, 11b) és/vagy környezeti oxidréteg (11) vesz körül és ágyaz

Le.

Tárgya a találmánynak eljárás MOS és/-vagy CMOS félvezető eszközök rétegszerkezetének előállítására is, elsősorban monolitikus integrált áramkörökben való alkalmazáshoz, amelynek során szilícium alapszeleten source, drain és gate elektródákat, valamint azokat körülvevő és befoglaló szigetelő oxidréteget. és/vagy környezeti oxidréteget, továbbá ezeket összekapcsoló összekötő fémezést és adott esetben vezetékeket hozunk létre.

Jellegzetessége, hogy az előzetesen egyenletesen oxidált szilícium alapszelet (1) felületére poliszilícium réteget viszünk fel, majd a source elektródákat (16, 16a), a drain elektródákat (15, 15a) és a gate elektródákat (13, 13a) körülvevő, leendő szigetelő oxidréteg (11a, 11b) és/vagy környezeti oxidréteg

(11) helyén a poliszilícium réteget el vékonyítjuk, végül pedig teljes mélységében átoxidáljuk.

.4 leírás terjedelme: 9 oldal, 4 rajz, 24 ábra

HU 199039 B