191065. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és berendezés ion implantációra, célszerűen integrált áramkörök előállításához
(19) HU SZABADALMI ou 191 065 MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG LEÍRÁS A A bejelentés napja: (22) 84. 07. 10. (21) 2691/84 Nemzetközi osztályjelzet: (51) NSZ04 H 01 J 37/317 H 01 L 21/265 H 01 L 21/425 ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL A közzététel napja: (41) (42) 1986. 02. 28. Megjelent: (45) 1988. VII. 29. 1 Szabadalmi Tár. ' A (72) (73) FÖLDI Tivadar, egyetemi adjunktus, BALOGH Tibor, egyetemi tanár, Budapest (54) ELJÁRÁS ÉS BERENDEZÉS ION IMPLANTÁCIÓRA, CÉLSZERŰEN INTEGRÁLT ÁRAMKÖRÖK ELŐÁLLÍTÁSÁHOZ (57) KIVONAT A találmány eljárásra és berendezésre vonatkozik ion implantációra és az integrált áramkörök előállításához alkalmazható igen előnyösen, előre meghatározott módon változtatott erősségű, eltérített ion- és/vagy elektronsugár alkalmazásával. Az eljárás szerint önmagában ismert vezérelt elektronés/vagy ion optikai eszközből mint változtatható erősségű forrásból elektron- és/vagy ionsugarat bocsátanak ki, az említett sugár alakjában kibocsátott részecskéket felgyorsítják és a sugár irányát számítógéppel vezérelt elektrostatikus és/vagy magnetostatikus fegyverzet útján a felületegységre eső anyagáramot eltérítik, adott esetben mágneses fókuszálással változtatják és a részecskéket az áramköröket hordozó target térben előre meghatározott helyeire juttatják. A berendezés lényege abban van, hogy katódsugárcsőként kiképzett ion- és/vagy elektronkibocsátó forráshoz (1) vezérlőelektróda (2) közbejöttével a sugárzás szimmetriatengelyébe helyezett anód (3) és ennek folytatását képező gyorsító anódhenger (4) illeszkedik és ez utóbbihoz számítógéppel (10) vezérlő kapcsolatban álló elektrostatikus és/vagy magnetostatikus fegyverzetpár (5, 6) kapcsolódik, amikor is az említett fegyverzetpár folytatását fókuszáló és utógyorsító elektródák (6) képezik, és ezek környezetében a sugárnyaláb útjára merőlegesen vagy közel merőlegesen tájolva target (9) helyezkedik el. (1. ábra.)
