179525. lajstromszámú szabadalom • Eljárás kémiai redukciós fürdő előállítására maximális négyszögességű vékont mágneses réteg (ek) leválasztásához

MAGVAR

nëpkOztArsasAg

SZABADALMI

LEÍRÁS

SZOLGALATI találmány

179525

Nemzetközi osztályozás:

ORSZÁGOS

Bejelentés napja: 1979. X. 26 (MA-3232) Közzététel napja: 1982. II. 27.

NSZ03:

C 23 C 3/02 ' H01 F 10.7/5

TALÁLMÁNYI

HIVATAL

Megjelent: 1984. VI. 30.

Feltalálók: Szabadalmas:

Bánki Ferenc elektromérnök 30%, Binder Gyula vegyészmérnök 30%, Forgács MTA Központi Fizikai Béla gépészmérnök 10%, Gaál Endre vegyészmérnök 30%, Budapest Kutató Intézete, Budapest

Eljárás redukciós fürdő előállítására maximális négyszögességű vékony mágneses réteg(ek) leválasztásához

1 2

A találmány tárgya olyan kémiai redukciós fürdő, amely maximális négyszögességű vékony mágneses réteg(ek) előállítását teszi lehetővé.

Mint ismeretes, a vékony rétegek döntő fontosságra tettek szert a nagy tárolási kapacitással rendelkező számítógéptárolók gyártásánál. Széles körben elteijedtek azok a számítógép tároló rendszerek, amelyeknek a működési elve az, hogy vékony mágneses réteg mozdul el egy alkalmas író és olvasó fej előtt. A vékony mágneses réteg fémoxid/fémpor bázisú, vagy vékony fémötvözet réteg (Co-P, Co-Ni-P, stb.), amelyet galvanikusan, vagy kémiai redukció segítségével választanak le. Az elmozdulás lehet transzlációs mozgás (mágnesszalag, vagy kártya), vagy forgó mozgás (tárcsa vagy dob). A tárolás binárisan kódolt, digitális, azaz diszkrét jelek rögzítését, illetve kiolvasását jelenti. A jel a kemény mágneses rétegben egyszerűen értelmezhető: negatív, illetve pozitív irányítottságú remanencia értékeket tekintjük a kettes számrendszerben logikai nem-, illetve logikai igenszintnek, más szóval egy-egy bitnek.

A számítógépek fejlesztésének egyik fontos célkitűzése a tárolók kapacitásának növelése. A mágneses tárolóba beírható információ mennyisége két tényezőtől függ:

1. az információ tárolására használt felület nagyságától,

2. a tároló felületegységén tárolható bitsűrűségtől.

Az információs felület növelésének határt szab a berendezés mérete. Kézenfekvő, de gyakorlatilag nehezebben keresztülvihető megoldás a bitsűrűség növelése. A mágnesesség elmélete, valamint a mágneses jel- 5 rögzítés elve és gyakorlati tapasztalatai alapján megállapítható, hogy a mágneses rétegre jellemző hiszterézis görbe alakja döntő hatású a bitsűrűségre. Ugyanis, ha a hiszterézis görbe nem kellően négyszöges, akkor a negatív és pozitív remanencia értékek - a 10 logikai nem- és logikai igenszintek között nem lesz éles átmenet, azaz a jelek egymásba folynak. A hiszterézis görbe számszerű négyszögessége matematikailag az Mr(M5 hányadossal fejezhető ki, ahol Mr a remanens. Ms a telítési mágnesezettséget jelöli. Fémhordo- 15 zóra leválasztott mágneses réteg négyszögessége nagymértékben függ a hordozó anyagi minőségétől és felületi simaságától. Általában a hordozó felületi simaságának növelésével a négyszögesség is növekszik. A mágnesréteget hordozó alapfém anyagi minőségéből 20 kristályszerkezetétől függően a négyszögesség javulhat vagy romolhat. Pl. ugyanolyan felületi simaság esetében eltérő négyszögességi értékeket kapunk attól függően, hogy a mágneses vékonyréteget alumínium, réz, vagy nikkel-foszfor ötvözetű alapra választjuk le. 25 A yakorlatban, optimális esetben 0,65-0,70 négyszögesség érhető el.

Az iparban az eddig alkalmazott technológiai lépéseknek az volt a jellemzője, hogy a nagyobb tárolási kapacitás a hordozó anyagának kiválasztásával, a 30 hordozó kristálystruktúrájának alkalmas kialakítá-179525