175547. lajstromszámú szabadalom • Eljárás szilícium alapú félvezető eszközök p-n átmenetének kialakításához adalék-forrás előállítására

MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG SZABADALMI LEÍRÁS szolgalati talAlmAny 175547 S Bejelentés napja: 1977. VIII. 15. (TA—1454) Nemzetközi osztályozás : H 01 L 21/385 ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL Közzététel napja: 1980. II. 28. Megjelent: 1981. II. 28. Feltalálók : Szabadalmas : dr. Fetter László, oki. vegyészmérnök, 40%, Nagy- Távközlési Kutató Intézet, györgy Gábor, oki. villamosmérnök, 40%, dr. Kor- Budapest mány Teréz, oki. vegyész, 20%, Budapest Eljárás szilícium alapú félvezető eszközök p-n átmenetének kialakításához adalék-forrás előállítására 1 A találmány tárgya eljárás szilícium alapú fél­vezető eszközök p-n átmenetének kialakításához jól ellenőrizhető és reprodukálható alacsony fe­lületi, bór koncentrációt eredményező adalék­forrás előállítására. 5 Szilícium félvezető eszközök előállításakor p­­típusú adalékanyagként legtöbbször bőrt hasz­nálnak. Az adalék beviteléhez megbízható ada­lék-forrás a szilícium lapka felületén létrehozott adalékolt szilíciumdioxid réteg, melyet leggyak- 10 rabban szilíciumhidridek vagy szerves szilícium­­vegyületek hőbontásával és gőzfázisból leválasz­tott bór-tartalmú vegyületek egyidejű hozzáadá­sával állítanak elő a szilícium lapkák felületén. Az ilyen adalékolt szilíciumdioxid rétegek bór- 15 tartalma azonban bizonyos bór koncentráció ér­tékek alatt szinte ellenőrizhetetlen. Ez a mini­mális érték a különböző eszközöknél eltérő, de megközelítőleg N 1018 atom/cm3 nagyságrend­ben határozható meg. Ezen érték alatt az adalék 20 elosztás egyenletessége és reprodukálhatósága nagymértékben lecsökken, így a diffúzió eredmé­nye véletlenszerűvé válik. A félvezető eszközök fejlődésével szükségessé vált azonban ennél ala­csonyabb felületi adalék-koncentrációjú diffú- 25 ziós rétegek előállítása is. Alacsony adalék koncentrációs rétegek előál­lításához sikeresen használják a szilícium lap­kák anódos oxidálását. Eddig nehezen volt megvalósítható a félveze- 30 2 tő technológia igényét kielégítő minőségű bór­­tartalmú adalékolt oxidforrás anódos kezeléssel történő előállítása, mivel nem állt rendelkezésre megfelelő oxidáláshoz alkalmazott oldat és bór­­vegyület. A legelterjedtebb oxidáló elektrolit oldatban a 0,04 M káliumnitrátot tartalmazó etilénglikolban bór vegyületeket feloldva nem mutatható ki bór beépülése a keletkező szilíciumdioxidba. A megfelelő vezetőképesség eléréséhez nagy mennyiségű bórsavat kell oldatba vinni, ami le­hetetlenné teszi alacsony felületi adalék-kon­centráció (N<1018 atom/cm1 * 3) elérését. Kálium­nitrát oldatba vitele javítja a vezetőképességet, de rontja az oldat időbeli stabilitását és ezzel a reprodukálhatóság is leromlik. Célunk a találmánnyal jól ellenőrizhető és reprodukálható, alacsony felületi adalék-kon­centrációjú, diffúziós forrásként használható, borral adalékolt, anódosan előállított szilícium­dioxid réteg létrehozása, a bór kipárolgás meg­akadályozza az anódos oxidációval előállított adalékforrásból. Az anódos oxidáció kiinduló anyagával (elektrolittal) szemben támasztott kö­vetelmények: — az összetétel stabil legyen ; — biztosítsa a kívánt bór-koncentráció eléré­sét; és — ez a koncentráció reprodukálható legyen. A találmány szerinti eljárás lényege a követ-175547

Next

/
Oldalképek
Tartalom