168196. lajstromszámú szabadalom • Ohmos kontaktus félvezető elemhez
MAGTÁR NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS Bejelentés napja: 1971. IV. 29. (DU-165) Közzététel napja: 1975. VIII. 28. Megjelent: 1977.1. 31. 168196 Nemzetközi osztályozás: H 011 3/20 Duraev Vladimir Petrovich flzikirs, Moszkva, Alferov Zhores Ivanovich mérnök, Leningrád, Andreev Vyacheslav Mikhailovich mérnök, Gatchina Leningradskoi oblasti, Borodulin Viktor Ivanovich mérnök, Moszkva, Garbuzov Dmitry Zalmanovich fizikus, Morozov Evgeny Pavlovich mérnök, Portnoi Efim Lazerevich mérnök, Leningrád, Pak Georgy Titovich fizikus, Shveikin Vasily Ivanovich fizikus, Moszkva, Szovjetunió Ohmos kontaktus félvezető elemhez 1 A találmány félvezetőtechnika területére, nevezetesen AIH B V vegyületek szilárd oldatát felhasználó félvezetőelemekre, különösen félvezetőelemek ohmos kontaktusára vonatkozik. Különösen hatásos lehet a találmány alkalmazása GaAs-AlAs-rendszerben heteroátmenetü lézerdiódák előállításához, lumineszcensdiódák, nagyfeszültségű impulzusdiódák, tranzisztorok, fotodiódák, tirisztorok és más félvezetőelemek heteroátmenettel, GaAs-AlAs-eljárással történő .előállítására. Ismeretesek ohmos kontaktusok A'HßV vegyületek szilárd oldatát felhasználó félvezetoélemekhez. Az ismert kontaktusok közül legjobbak a kontaktusfémnek forró alapra történő vákuumfelgőzölögtetésével nyert kontaktusok. GaAlAs p típusú félvezetőre 500 Â titánt, majd 200 Â aranyat visznek fel az alap 500 C°-os hőmérséklete mellett. Azután az alap 200 C°-os hőmérséklete jnellett pótlólag 2000 Â aranyat visznek fel. GaAlAs n-típusú félvezetőre az alap 130 C°-os hőmérséklete mellett 2000 Â ónt, majd 120 C° hőmérsékletnél 500 Â nikkelt vagy platinát visznek fel, és a kontaktfémeket 500 C° hőmérsékletnél 30 másodpercig beégetik. A hideg alapra végül 2000 Â vastagságban ónt visznek fel. Ezen ismert eljárás fémkontaktus felvitelére félvezető A^ßV vegyületek - például GaAlAs, GaAsP és mások - szilárd oldatainak rétegeire azonban egy sor lényeges hátránnyal rendelkezik, ezek többek között, a nagy ohmos ellenállás és kis hó'vezetőképesség, amelyek a hatásfok tekintélyes csökkenéséhez, és a félvezetőelem kimenőparamétereinek rosszabbodásához vezetnek. 5 A találmány feladata AlHß v -vegyületek szilárd oldatán alapuló elemekhez olyan kontaktusokat készíteni, amelyek jó hatásfokot nyújtanak. A találmány szerinti megoldás abban áll, hogy A111 ßv vegyületek, előnyösen GaIx A1 X AS három-10 komponensű vegyület szilárd oldataival kivitelezett félvezetőelem fémes külső réteggel rendelkező ohmos kontaktusnál a szilárd oldat által képzett félvezető-réteg és a fémréteg között A^ßV vegyületek, előnyösen galliumarzenidből előállított, 15 az említett, öt határolóval azonos vezetőtípusú félvezetőréteg a szilárd oldat által képezett félvezetőrétegen fekszik. Ez a kontaktus előnyösen alkalmazható félvezetőlézernél félvezetőrétegű aktív tartománnyal, ahol a tiltott zóna szélessége kisebb, 20 mint a közvetlenül mellette fekvő, szilárd oldat által képzett félvezetőrétegek bármelyikénél, a találmány szerint közvetlenül a nevezett, szilárd oldat, által képzett félvezetőréteg külső oldalán AHIßV vegyülettel előállított az 1. igénypont 25 szerinti ohmos kontaktushoz hasonló vezetőtípusú félvezetőréteg fekszik. Jelen találmányt kiviteli példák leírása alapján alább részletesen ismertetjük. Az Am B v vegyületek szilárd oldatával meg-30 valósított félvezetőelemek számára javasolt ohmos 168196
