167497. lajstromszámú szabadalom • Berendezés félvezető anyagok epitaxiális rétegeinek előállítására

MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG SZABADALMI LEÍRÁS 167497 is! Bejelentés napja: 1973. VIII. 23. (MO-883) Közzététel napja: 1975. V. 28. Megjelent: 1976. X. 30. Nemzetközi osztályozás: C 23 c 11/00 ^KfÜÜÉ^H Bejelentés napja: 1973. VIII. 23. (MO-883) Közzététel napja: 1975. V. 28. Megjelent: 1976. X. 30. ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL Bejelentés napja: 1973. VIII. 23. (MO-883) Közzététel napja: 1975. V. 28. Megjelent: 1976. X. 30. Feltalálók: Tulajdonos: Chistyakov Jury Dmitrievich mérnök, Moszkva, Palienko Anatoly Nikolaevich mérnök, Moskovsky Institut Elektronnoi Taganrog, Danilkov Nikolai Kuzmich mérnök, Rainov Jury Anatolievich mérnök, Tekhniki, Moszkva, Gulidov Dmitry Nikolaevich mérnök, Rainova Julia Petrovna mérnök, Szovjetunió Seliverstov Vasily Ivanovich mérnök, Moszkva, Szovjetunió Berendezés félvezető anyagok epitaxiális tétegeinek előállítására 1 A találmány tárgya berendezés félvezető anyagok, például szilícium, epitaxiális rétegeinek előállítására kémiai gázáramoltatási reakciók segítségével. Az ismert berendezések, amelyek félvezető anyagok epitaxiális rétegeinek előállítására alkalmasak, szerkezetileg főelemként egy elgőzölögtetőt tartalmaznak a gőz-gáz-keverék előállítására, továbbá fémből készült vízhűtéses reakciós kamrát, egy réteghordozó-hevítővej^ amely olyan lapokként van kialakítva, amelyeknek egyik homlokoldala kengyellel van összekötve, és a lapok biztosítják a rajtuk elhelyezett rétegtartók alátámasztását és melegítését. Az ilyen fajta berendezésekben, amelyek alkalmasak félvezető anyagok epitaxiális rétegeinek előállítására, a képezett gőz-gáz-keverék az elgőzölögtetőből vízszintes irányban jut a reakciós kamrába, ahol alkotórészei a felmelegített rétegtartó felületén kölcsönhatásba jutnak egymással és egy anyagot képeznek, amely rajtuk a félvezető anyag epitaxiális rétegeiként folyamatosan lerakódik. Az említett berendezésekben a hevítőlapoknak derékszögű négyszög alakjuk van, amelyeknek hosszabb éle párhuzamos a gőz-gáz-keverék áramlási irányával. A réteghordozókat csak a hevítőlapok felső hosszabb élein helyezik el. A hevítőnek ilyen fajta kialakítása következtében tekintélyes hőáramok keletkeznek, amelyek a réteghordozó felületéről indulnak a vízhűtésű reakciós kamra falai felé. Ennek következtében a réteghordozókon hőmérsékletgradiens keletkezik, amely a felületükre merőleges és ilyen módon rögzíti a hőmérsékletkülönbséget a réteghordozók 5 munkafelületén és érintkezési felületén. A réteghordozók ezen hőmérsékletkülönbségnek megfelelő görbülete az epitaxia folyamán egyes helyeken megszünteti a hőérintkezést a réteghordozó és a hevítő felülete között. Ezért viszont 10 a réteghordozó felülete egyenlőtlenül melegszik, ami a fő oka annak, hogy az epitaxiális réteg vastagsága a felület mentén az előírt értékhez képest szórásokat mutat. Célunk, hogy a találmány segítségével a fent 15 említett hiányosságokat kiküszöböljük. Feladatul tűztük ki, hogy a találmány segítségével olyan berendezést alakítsunk ki félvezető anyagok epitaxiális rétegeinek előállítására, amely-20 nek reakciós kamrájában a réteghordozó hősugárzásának leárnyékolására és az egyes rétegek ötvözetének ellenőrzésére olyan anyagokat vezessünk be, amelyek a hőveszteségek nagymértékű csökkentése következtében megakadályozzák a réteg-25 hordozók görbülését, továbbá hatásosabb hőionizációt hoznak létre a gőz-gáz-keverék alkatrészeinél és biztosítják az alkatrészek ionizálását egy alkalmazott villamos tér hatása alatt. Ezt a feladatot azáltal oldjuk meg, hogy a 30 berendezésben, amely félvezető anyagok epitaxiális 167497