166797. lajstromszámú szabadalom • Eljárás vékonyrétegű kondenzátor előállítására

MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS A bejelentés napja: 1973. I. 12. (WE—477) Amerikai Egyesült Államok-beli elsőbbsége: 1972. I. 14. (217 876) A közzététel napja: 1974. XII. 28. Megjelent: 1976. VI. 30 166797 Nemzetközi osztályozás: H 01 g 3/075 Feltaláló: Tulajdonos: KUMAGAI HENRY YASUO mérnök, Hopewell Township, Mercer County, Western Electric Company, New Jersey, Amerikai Egyesült Államok Inc. New York, Amerikai Egyesült Államok Eljárás vékonyrétegű kondenzátor előállítására A találmány tárgya eljárás nitrogénnel doppolt |8-tantál kondenzátorok előállítására. Az elektronikus rendszerek, különösen a híradástechnikai elektronikus rendszerek egyre nagyobbak és bonyolultabbak lesznek. Az egyre bonyolultabb elektronikus rendszerek fejlődésével az áramköri elemek és szükséges csatlakozások száma a sokszorosára nőtt. Egyetlen áramköri elem vagy egyetlen vezetékcsatlakozás meghibásodása a teljes rendszer meghibásodásához és üzemkieséséhez vezethet. Ezért kis rendszerek áramköri elemeinek és kapcsolási technikáinak megbízhatósága nem jelent feltétlenül megbízhatóságot abban az esetben, ha ezeket egymással nagy számban, nagy, korszerű elektronikus rendszerekké csatlakoztatjuk. Ezért erőteljes kutatások folytak olyan áramkörök és áramköri elemek szolgáltatása irányában, amelyek megbízhatók, használat alatt stabilak és e tulajdonságukat hosszú üzemidő alatt is megőrzik. A kutatások az integrált, vékonyréteges tantál áramkörök kifejlesztéséhez vezettek. A vékonyréteges technológia alkalmazása az egyedi vezetékcsatlakozások jelentős csökkentését és ezzel az üzembiztonság növelését teszi lehetővé. Az egyedi vezetékcsatlakozások számának csökkentése azért lehetséges, mert egy hordozórétegen egyetlen folytonos rétegből, vagy egymás melletti rétegekből sok, egymással csatlakozó áramköri elem alakítható ki. Ha az ily módon egymáshoz csatlakoztatott áramköri elemek a megkívánt üzembiz-10 15 20 25 30 tonsággal és stabilitással rendelkeznek, akkor e módszerrel rendkívül megbízható és stabilis elektronikus rendszerek építhetők fel. A vékonyréteges áramköri elemek és így a vékonyréteges áramkörök stabilitása és megbízhatósága nagymértékben függ a vékonyrétegek készítésére használt anyagtól. Ezért nagy szükség van javított vékonyréteges áramköri elemek előállítására alkalmas új szerkezeti anyagokra. Ilyen anyag a 3,382.053 és 3,275.915 lajstromszámú amerikai szabadalmakban leírt /S-tantál. A tiszta ^-tantál kitűnő anyag mind a vékonyréteges kondenzátoroknak, mind a vékonyréteges ellenállásoknak. Azt találtuk, hogy egy másik új anyag, a nitrogénnel doppolt /J-tantál a vékonyréteges tantálelemek stabilitásának és üzembiztonságának még további növelését teszi lehetővé. Nitrogénnel doppolt /S-tantálon azt értjük, hogy a nitrogénatomok a /5-tantál atomokkal kombinált formában vannak jelen és olyan /?-tantál kristályszerkezetet alkotnak, melyben a nitrogénatomok maguk is részt vesznek. Eddig úgy vélték, hogy a tantál még kis mennyiségű nitrogénatom jelenlétében és olyan körülmények között végzett leválasztása is — melynek során a /5-tantál képződik — azzal jár, hogy a leválasztott tantál a /?-tantál kristályformából térközpontos, köbös szerkezetű a-tantállá alakul át, ami ellenállásának csökkenéséhez vezet. Meglepő módon azt találtuk, hogy ez nem így van és a ^-tantál 66797