166509. lajstromszámú szabadalom • Berendezés félvezető és intermatillikus vegyületek előállítására

MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS A bejelentés napja: 1972. XII. 12. A közzététel napja: 1974. IX. 28. Megjelent: 1976. VIII. 31. (TE—687) 166509 Nemzetközi osztályozás: B 01 j 17/00 Feltalálók: Cerny Milan mérnök, Prága Dvorak Jiri technikus, Prága Vavrik Karel technikus, Prága, Csehszlovákia Tulajdonos: Tesla, Národni Podnik, Prága, Csehszlovákia Berendezés félvezető és intermetallikus vegyületek előállítására i A találmány tárgya berendezés félvezető vegyüle­tek és intermetallikus vegyületek előállítására, amely a redukáló vagy semleges gáz bevezetésére alkalmas vezetékkel van ellátva. 5 A félvezető és intermetallikus vegyületeket külön­böző módon készítik elő, például tégelyben történő szintézissel, amelyből azután közvetlenül egykristályt húznak, azaz úgynevezett Czochralski-féle eljárással történő húzás útján. Ezáltal lehet például egykris- 10 táíyból álló nyers félvezető tömböket előkészíteni. Egy másik eljárás szerint a szintézis egy hajóban történik, ahol a hajó rendszerint zónás olvasztóval van összekötve, míg ezen olvasztás folyamán a po- 15 likristályból egykristályt növesztenek nyers tömb alakjában, vagy pedig a szintézis útján a hajóban kapott anyagot átvezetik a tégelybe, és csak akkor húzzák a Czochralski-eljárás szerint az egykristályt. Az első eljárás, amelynél közvetlenül a tégelyben 20 történik a szintézis, majd ezt követően azonnal az egykristály húzása, annyiban hátrányos, hogy a ki­indulási anyag tisztaságától az előállított félvezető tisztasága is függ és ezért igen tiszta kiindulási anyagot kell alkalmazni. A második eljárás, azaz a 25 hajócskában való szintézis, amelyet zónás olvasztás követ, nagyobb tisztaságot biztosít a többször ismé­telt zónás olvasztás folyamán, azaz a szennyező anya­gok nyers tömb végén történő lehántolása segítségé­vel. Ennek az eljárásnak mindamellett hátránya, 30 hogy az anyag a hajócskában rosszul homogenizáló­dik. A fent említett hibákat és hátrányokat a találmány szerinti berendezés segítségével kiküszöböljük. A ta­lálmány szerinti berendezés lényege abban áll, hogy egy túlfolyócsöves reakciós edényt tartalmaz, amely a védőkamra terébe nyúlik, amelyben leöntő edény van, míg a berendezés valamennyi része a fűtőkö­penyben van elrendezve. Az egész berendezés túl­nyomásos borításban helyezhető el. A találmány tárgyát rajz alapján, példakénti ki­viteli alakok kapcsán ismertetjük részletesebben. Az 1. és 2. ábra két találmány szerinti berendezés vázlatos elrendezését mutatja; ezek csak a túlfolyó­cső kivitelében különböznek egymástól. A félvezető vegyületek, valamint az intermetalli­kus vegyületek előállítására alkalmas berendezés az 1 reakciós edényt tartalmaz, amelybe a szintézishez szükséges kiindulási anyagot helyezzük és amely a 2 túlfolyócsövön keresztül van a 3 védőkamrával összekötve. A 4 leöntőedény például hajócska vagy más alkalmas alakú edény a 3 védőkamrába van be­helyezve. Ebbe vezetjük át a szintézis eredménye­ként kapott terméket. A berendezést 5 fűtőköpeny segítségével fűtjük. A szintézis különleges eseteiben, például illékony anyagoknál, ha nagy nyomások ke­letkeznek, 6 túlnyomásos borítással látjuk el. A be­rendezés fő részeit kvarcüvegből készítjük. A beren­dezésnek a redukáló vagy közömbös gáz, például hidrogén számára 7 bevezetése és 8 elvezetése van. 166509 1

Next

/
Oldalképek
Tartalom