166405. lajstromszámú szabadalom • Planáris mágneses vékonyrétegstruktúra

MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS Bejelentés napja: 1972. VIII. 10. Szovjetunió-beli elsőbbsége: 1971. VIII. 17. (No. 1684912) Közzététel napja: 1974. IX. 28. Megjelent: 1976. V. 31. (GI—177) 166405 Nemzetközi osztályozás: H 01 f 10/00; G 11 c 11/14 Grishechkin Mikhail Ivanovich mérnök, Martynenko Tatyana Fedorovna mérnök, Moszkva, Szovjetunió Planáris mágneses vékonyrétegstruktúra i A találmány tárgya planáris mágneses vékonyrétegstruktúra, például számítástechnikai tárolóberendezésekhez. Az ismert hasonló mágneses vékonyrétegstruktúra polírozott réteghordozót tartalmaz, amelyre amorf di- 5 elektrikus réteg van felvive, valamint olyan mágneses réteg, amelyet nem mágneses anyagból levő közbenső réteg két részre oszt (lásd például E. Feldtkeller, Zaitschrift für angewandte Physik, 18. kötet, 5—6 sz. 1965. 532—534. oldal). 10 Az ilyen struktúrának hiányossága, hogy alacsony az információtörlési küszöbe. Az ismert struktúra nem mágneses anyagból levő közbenső rétege, amely a mágneses réteg koercitív erejének (FLJ növelését és a domainhatárok (Weiss-féle 15 tartományok) kölcsönös elcsúszási érzékenységének csökkentését biztosítja, egyidejűleg megnöveli a rétegstruktúra mágneses paramétereinek szórását, miáltal a vékonyrétegstruktúra mágneses paramétereinek reprodukálhatósága romlik és a nagy integrált mágnes- 20 mátrixoknak a planáris filmeken technológiailag elérhető száma csökken. A találmány célja a felsorolt hiányosságok megszüntetése. A találmány által megoldani kívánt feladat olyan 25 planáris mágneses vékonyrétegstruktúra létrehozása, amelynél a koercitív erő növekedése és a domainhatárok kölcsönös elcsúszási érzékenységének csökkentése a mágneses paraméterek reprodukálhatóságának növekedésével és a nagy integrált vékonyrétegmátrixok tech- 30 nológiailag elérhető számának jelentős emelkedésével jár együtt. A feladat találmány szerinti megoldásában hordozót és azon megfelelően elrendezett amorf réteget, valamint nem mágneses anyagból levő közbenső réteggel ellátott mágneses réteget tartalmazó planáris mágneses vékonyrétegstruktúrában az amorf rétegnek a mágneses réteget érintő oldalán olyan felületi érdessége van, amelynek periodicitása a mágneses réteg domainhatárai szélességének felel meg, míg a közbenső réteg nem mágneses anyagból diszkrét zárványok formájában van kialakítva, amelyeknek eloszlását az amorf réteg felületi érdessége határozza meg. A technológia egyszerűsítése céljából a planáris mágneses vékonyrétegstruktúrába olyan felületi érdességű járulékos fémréteg van beépítve, amelynek periódusa az amorf réteg felületi érdességének periódusát követi. Ez a járulékos réteg a hordqzó és az amorf réteg között van elhelyezve. A találmány szerinti planáris vékonyrétegstruktúrában a hordozó célszerűen 98,6—1,4%-os alumíniummangán ötvözetből, a mágneses réteg nikkel-vas-kobalt ötvözetből, a közbenső réteg rézből, az amorf réteg szilíciummonoxidból és a fémtéreg alumíniumból van. A találmány szerinti planáris mágneses vékonyrétegstuktura magas információ törlési küszöbbel rendelkezik, a domainhatárok kölcsönös elcsúszási érzékenysége csekély és a mágneses paraméterek reprodukálhatósága mind a hordozó felületén, mind hordozóról hordozóra igen jó. 166405 1