163856. lajstromszámú szabadalom • Szelén rétegellenállás

MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS SZOLGÁLATI TALÁLMÁNY Bejelentés napja 1968. X. 14. (EE-1581) Közzététel napja 1973. VI. 28. Megjelent 1975. V. 31. 163856 Nemzetközi osztályozás: H 01 c 7/00 Feltaláló' Eszes Imre fizikus, Borbély Albert vegyészmérnök, Budapest. Tulajdonos' Egyesült Izzólámpa és Villamossági Részvénytársaság, Budapest. Szelén rétegellenállás 10 15 1 A bejelentés tárgya szelén rétegellenálás. Az ellenállás gyártását napjainkig is nehezíti az ellenállások kívánt értékének elérését célzó műveletek nagy pontossági követelménye és ezzel együtt az ellenállás értékének beállítását szolgáló műveletnek tömegben, vagy sorozatban nem végezhető' jellege. Az ismert eljárás, a hengeres alakú rétegellenállás csavarvonal alakú beköszörülése költséges gépet igénylő, ellenállásonként csak külön-külön végezhető művelet. A találmánnyal célunk az ellenállás gyártásának racionalizálása ill. az ellenállások értékének beállítására szolgáló művelet egyszerűsítése. Lehetőséget nyújt erre az a fizikai jelenség, amely szerint a szelén vezetőképessége a bevitt speciális szennyezők hatására akár több nagyságrenddel is változhat. Az ellenállások ismert alapanyaga többek között a szelén. Ismert fizikai jelenség -> továbbá, hogy a szelén kellemetlen negatív hőmérsékleti együtthatója javítható illetve megszüntethető esetleg pozitívra változtatható, például finom- 20 eloszlású szénnel, aluminiumacetáttal, krómszeszkvioxiddal, vagy cirkóniumoxiddal és a keverék kb. 24 órás hevítésével 200 C°-on (pl. 815.677 számú francia szabadalmi leírás.) Találmányunkkal eltérünk az ismert megoldásoktól mind cél, mind pedig eszköz tekintetében, mert célunk az ellenállás 25 Ohm értékének beállítása nagy tömegben az eszköz pedig a diffúzió, az ismert keverés helyett. Találmányunk tárgya szelén rétegellenállás, amelynek jellemzője az, hogy a hordozórétegen kívül két, vagy több 30 rétege van, amelyek az üzemi hőmérsékletnél magasabb hőfokon diffundáló szennyezőket, /például halogéneket és/vagy tallimot tartalmaznak, és amelynek további jellemzője, hogy két szomszédos réteg szennyezettsége különböző mértékű. 35 163856 A fentiek alapján olyan rétegellenállást javasolunk, amely lehetővé teszi az ellenállások Ohm értékének beállítását nagy tömegben egy kemencében. Kísérleteink szerint a szennyezők kombinálásával elérhető, hogy a szelénréteg ellenállásának hőmérsékleti együtthatója kívánság szerint beállítható tegyen - jbizonyos határok között - pozitív, vagy negatív tartományban, vagy akár megvalósítható az ellenállás hőmérsékleti együtthatójának tetszőleges alacsony értéke is. A szennyezők bevitelére a diffúziót használjuk fel úgy, hogy a működési hőmérsékletnél jóval magasabb hőmérsékleten hó'kezeljük a szelénréteget, miközben a megfelelő diffuzánsokat a szelénréteggel szomszédos rétegből nyerjük. A szelén szennyezésére halogéneket és/vagy talliumot lehet felhasználni. A kitűzött cél elérésére számos megoldás, eszköz alkalmas a fent ismertetett tartományon belül, így például réteghordozóként mind szigetelő, mind vezető tulajdonságú alaplemez megfelel. A számos lehetséges megoldás közül egy példakénti kiviteli alakot ismertetünk a mellékelt ábra alapján. Vékony 1. szigetelő tulajdonságú hordozólemezre erős tallium szennyeződésű 2. szelénréteget hozunk létre vákuumpárologtatással. A 2. rétegre a kívánt mértékben halogénekkel szennyezett 3. szelénréteget párologtatunk, majd erre a 3. rétegre fémmaszk segítségével ohmikus 4. kontaktust viszünk fel. Az így készült ellenállásokat darabolás segítségével elkülönítjük. Az ellenállásokat csoportokba válogatjuk, majd a csoportokat különböző idejű hőkezeléssel végső értékre beállítjuk. A kontaktusokat kivezetőkkel látjuk el, és az ellenállást védőréteggel, például festékréteggel vonjuk be. Találmányunk tárgyának előnye, hogy előállítási költsége töredéke az ismert ellenállások előállítási költségének, ami annak köszönhető, hogy a találmány által lehetségessé vált