160954. lajstromszámú szabadalom • Eljárás bipoláris tranzisztorokat tartalmazó félvezető elrendezések előállítására

MAGYAR SZABADALMI 160954 NÉPKÖZTÁRSASÁG LEÍRÁS ^sbs^ ^sbs^ • Nemzetközi osztályozás: «pj« Bejelentés napja: 1970. VIII. 21. (MO—771) H 01 1 19/00 %^ Német Demokratikus Köztársaságbeli elsőbbsége: 1969. VIII. 22. (WP 21 g/142 036) ^^SHÍZTSjV ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL Közzététel napja: 1972. I. 28. Megjelent: 1973. XII. 31. '_, »*«• Feltaláló: Jorke Günter mérnök, Dresden, Német Demokratikus Köztársaság Tulajdonos: Arbeitsstelle für Molekularelektronik cég, Dresden, Német Demokratikus Köztársaság Eljárás bipoláris tranzisztorokat tartalmazó félvezető-elrendezések előállítására A találmány tárgya bipoláris tranzisztorokat tartalmazó félvezető elrendezések előállítására alkalmas eljárás, mely félvezető elrendezések különösen gyors digitális kapcsolásokhoz és többrétegű félvezetőelemek kialakításához al- 5 kalmasak. Bipoláris tranzisztorokkal ellátott integrált félvezető elrendezések előállítására alkalmas eljárást — amely többrétegű félvezetőberendezések kialakítására alkalmas — már korábban is 10 javasoltak. Ennek az eljárásnak során tranzisztorokból és ellenállásokból álló kapcsolásokat úgy készítettek, hogy először gyűrűalakú, nagy szennyezéskoncentrációjú bázisrétegeket, ezzel egyidejűleg az ellenállások kontaktusrétegeit 15 alakították ki a félvezetőtárcsán, illetve a félvezetőrétegen. A bázisréteg tartományában lapos, azonos szennyezés-típusú bázisrétegeket diffundáltatnak az ellenállásréteggel együtt. Ezt követi az emitter-réteg diffúziója a bázisteknőréte- 20 gen belül, majd ezután a félvezetőtárcsát kötőréteg segítségével egy hordozótesttel kötik össze, végül pedig a félvezetőtárcsa illetve félvezetőréteg hátsó oldalát annyira lemunkálják, hogy a bázisrétegen belül fekvő kollektor és ugyanak- 25 kor valamennyi bázis és ellenállás érintkezési tartománya szabaddá válik. Ezek a félvezetőberendezések az eddig ismert eljárás segítségével kialakított félvezetőberendezéseknél azzal is előnycsebbek, hogy egyrészt, geometriai méretük 30 kisebb, másrészt a több rétegű kialakítás lehetősége is adva van —, mégis az a hátrányuk van, hogy elkészítésük csak mély, gyűrűalakú bázisréteg révén vihető keresztül. Ez viszont az aránylag nagy oldalirányú diffúzió következtében a tranzisztorral szemben támasztott működési követelményeket véve figyelembe, a szükséges méreteken túl, nagyobb méretek kialakulásához vezet. Találmányunk szerinti megoldással azt a célt kívánjuk elérni, hogy bipoláris tranzisztorokat tartalmazó félvezető-elrendezések előállítására olyan eljárást dolgozzunk ki, amelynek révén a tranzisztorok kisebb geometriai méretét és ezen belül ugyanekkor a többrétegű elrendezést megvalósíthassuk. A találmány segítségével azt a feladatot kell megoldanunk, hogy egy félvezetőréteg egymással szemben levő két oldalán fémösszeköttetésekkel, illetve összekötővezetékkel rendelkező bipoláris tranzisztorokat tartalmazó, integrált félvezetőelrendezés előállítására alkalmas eljárást dolgozzunk ki, melynek kollektor- és bázisellenállása kicsi és ugyanakkor a kollektor záróréteg kapacitása is kicsi. A találmány révén ezt a feladatot úgy oldjuk meg, hogy önmagában ismert egyes gyártástechnológiai műveletek alkalmazásával félvezetőtárcsába először a kollektorréteget dif fundáltatjuk bele, ezt követően nagy felületű, és a kollektorréteg szennyezés típusának megfelelő epitaxiá-160954