160951. lajstromszámú szabadalom • Eljárás bipoláris tranzisztorokat tartalmazóintegrált félvezető elrendezések előállítására
MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS Bejelentés napja: 1970. IV. 03. Német Demokratikus Köztársaságbeli elsőbbsége: 1969. IV. 03. (WP 21 g/139 005) Közzététel napja: 1972. I. 28. Megjelent: 1973. XII. 31. (MO—757) 160951 Nemzetközi osztályozás: H 01119/00 Feltaláló: Jorke Günter oki. mérnök, Dresden, Német Demokratikus Köztársaság-beli lakos Tulajdonos: Arbeitsstelle für Molekularelektronik cég, Dresden, Német Demokratikus Köztársaság Eljárás bipoláris tranzisztorokat tartalmazó integrált félvezető-elrendezések előállítására A találmány eljárás bipoláris tranzisztorokkal ellátott integrált félvezető elrendezések előállítására amelyek különösen gyors digitális kapcsolások végrehajtására és többrétegű elrendezésekhez alkalmasak. 5 Integrált félvezető elrendezéseknek bipolártranzisztorokkal történő előállítása eddig úgy történt, hogy epitaxiális-planáris eljárás révén az emitter, bázis és kollektor tartományokat egymásban helyezték el és közös oldalon kon- io taktírozták. Ez a jellemző érvényes mind a pnátmenet szigeteléssel megvalósított eljárásokra, mind pedig a dielektromos szigetelésű eljárásokra egyaránt. Az ilyen eljárások kivitelezésére azonban 15 nagy helyre és nagy kollektor-bázis átmenet felületekre van szükség, melyek nagyobbak, mint amelyre a tranzisztoros működtetéshez elvileg egyáltalában szükség van. Ezenkívül, ezeknél az eljárásoknál az alacsö- 20 nyabb soros kollektor-ellenállások elérésére pótlólagos diffúziós technológiai lépések is szükségesek. A találmány révén azt a célt kívánjuk elérni, hogy bipoláris tranzisztorokkal kialakított integ- 25 rált félvezető elrendezést valósítunk meg — különösen gyors kapcsolások végrehajtására —, amelyek révén kedvező tranzisztor kialakítást lehet elérni. A találmánnyal azt a feladatot kívánjuk vég- 30 rehajtani, hogy bipoláris tranzisztorokkal kialakított integrált félvezetőelrendezések előállítására alkalmas eljárás legyen foganatosítható, mely eljárásnál a tranzisztoroknak kicsi a felületi szükséglete, kicsi a kollektor-, és bázisrétegellenállása, kicsi a kollektor-bázis átmenet felülete és végül amelyek alkalmasak a többszintes elrendezés kivitelezésére. A találmány szerint ezt a feladatot akként oldjuk meg, hogy egy egykristályból álló félvezető tárcsának, vagy egy egykristályból álló félvezető rétegnek felső felületére — amely egy másfajta egykristályból készült réteghordozón foglal helyet — először egy nagy szennyezéskoncentrációjú gyűrűalakú mély bázisréteget, azután e bázisrétegen belül azzal azonos szenynyezés-típusú lapos bázisréteget belediffundáltatunk, ezután az emitter-tartományt a szokásos módon, diffúzió útján a bázistartományban létrehozzuk, a bázis és emitter-tartományt hasonló és ismert módon először egy ún. első fémösszeköttetés felületén — amely részben egy passzíváit réteg kimart árkaiban foglal helyet — galvanikus összeköttetésekkel látjuk el, ezt követően a kötőanyag vékony rétegét a tárcsán leválasztjuk, erre termokompressziós úton egy hordozótárcsát erősítünk, majd a szerkezeti alkatelemeket tartalmazó félvezető tárcsát az alulsó felületen köszörülés és/vagy marás útján a mély bázisrétegtartomány szabaddá tételéig le-160951
