159716. lajstromszámú szabadalom • Eljárás szelén egyenirányító rétegek előállítására

MAGTAR NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI LEÍRÁS SZOLGALATI TALÁLMÁNY Bejelentés napja: 1969. XI. 10. (EE—1740) Közzététel napja: 1971. VII. 02. Megjelent: 1972. X. 31. 159716 Nemzetközi osztályozás: H 01 1 7/08 Feltalálók: Eszes Imre fizikus, Borbély Albert vegyészmérnök, Budapest Tulajdonos: Egyesült Izzólámpa Villamossági Rt., Budapest Eljárás szelén egyenirányító rétegek előállítására 1 A találmány eljárás szelén egyenirányítórétegek előállítására, amely révén a szelénegyenirányítók paraméterei jelentős mértékben javíthatók. Az ismert eljárásoknál vas vagy alumínium alaplemezre vákuumtérben egy vagy több rétegben szelént vagy szelén és félvezetőanyag keveréket párologtatnak, és a rétegre, illetve rétegekre zárórétegként fémötvözetet porlasztanak. A szelén vezetőképességének javítására az egyes szelénrétegeket különböző koncentrációjú, illetve fajtájú halogénekkel vagy halogén vegyületekkel szennyezik. Egy-egy réteg felvétele előtt az alaplemezt, illetve már leme• zen levő rétegeket sok esetben hőkezelésnek vetik alá. 10 15 Szokásos eljárás az egyes szelénrétegekben a halogének vagy halogén keverékek, illetve vegyületek koncentrációját úgy alakítani, hogy a koncentrációk az alaplemeztől az ellenelektróda felé monoton csökkenő vagy növekvő értéket adjanak. Az egyes szelénrétegek elpárologtatásáit vákuumtérben végzik, mégpedig, úgy, hogy a vákuum a párologtatás kezdetétől befejezéséig folyamatosan nő, azaz a vákuumtérben levő nyomás folyamatosan csökken. A párologtatás folyamán az alaplemez belső felülete mellett fűtőeszközt alkalmaznak úgy, hogy az 30 20 25 alaplemez felületi hőmérséklete a párologtatás közben változik. Az ilyen ismert eljárásokkal készített szelénegyenirányítók az ipar mai követelményeit már nem tudják jelentős műszaki ráfordítás nélkül kielégíteni, mert az e nélkül előállított szelénegyenirányítók záró és nyitó irányú paraméterei és élettartama nem kielégítők. Kísérleteink eredményei szerint ennek egyik oka, hogy a szelénben levő szennyező aktiválása a párologtatás közben vákuumtérben uralkodó nyomás nagyságától függ. A szennyezők például nagyobb vákuumban, azaz kisebb nyomás esetén az alaplemez felületén üregképződésre vezethetnek és ezek az üregek olyan mértékűek is lehetnek, hogy a réteg, illetve rétegek külső felületéig is kiérnek. Az ellenelektróda réteg felvitele után a záróréteg és alaplemez között zárlatot okozhatnak. A szelénben, illetve az alaplemezen levő szennyező, vákuumban fellépő, üregképződést előidéző bomlása nagyobb vákuumban intenzívebb, ezért ez esetben párologtatás közben nagy vákuum alkalmazása hátrányos. Az egyes szeléntrétegek belsejében a nagyobb vákuum, azaz a kisebb nyomás hatására keletkező, fel nem repedt üregek csökkentik a réteg keresztmetszetét, minek eredményeként a nyitóirányú paraméterek romlanak. 159716