158735. lajstromszámú szabadalom • Planártranzisztor

MAGYAR NÉPKÖZT ARS ASÁG SZABADALMI LEÍRÁS 158735 i^JLNemzetközi osztályozás: »I^^^Wfe H 01 1 11/06 cMlIKV Bejelentés napja: 1967. VI. 26. (Pl—274) ^J|P Hollandiai elsőbbsége: 1966. VI. 29. (6 609 002) " -N/'\ ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL Közzététel napja: 1970. X. 24. Megjelent: 1971. XII. 15. Feltalálók: Günther Carl Miaximilian Eduard Wolfrum vegyész, Theodoor Henri Enzlin vegyész, Nijmegen, Hollandia Tulajdonos: N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, Hollandia Planártranzisztor 1 A találmány tárgya olyan tranzisztor, amelynek félvezető teste egy első vezető típusú első zónával, a kollektor zónával, egy ezzel ellentétes vezető típusú második zónával, a bázis zónával, továbbá egy további első típusú barma- 5 dik zónával, az emitter zónával rendelkezik és a harmadik zónát a második zóna veszi körül, míg a második zónát az első zóna veszi körül, mindenkor egy rész kivételével, amelyet a test egy határoló felülete határoz meg, míg a zónák io között átmenetek vannak, amelyeiket ezen felület zárt alaikzatok mentén metsz és ezen a felületen vékony szigetelő réteg van, amely az említett átmenetek és a felület metszési helyeit takarja és a szigetelő rétegen vezető réteg van, 15 amely a szigetelő rétegben levő ablakon keresztül az emitter zónával érintkezik és az ablaktól oldal irányiban, a szigetelő réteg fölé nyúlik és ott az áramot vezető huzal csatlakoztatására alkalmas, a kollektor zóna fölött élbe- 20 lyezfcedő érintkezési felületet alkot. Az ilyen fajta tranzisztor a planártranzisztorok egy meghatározott kiviteli alakja. A 3 025 589 lajstromszámú USA szabadalmi 25 leírás olyan kiviteli alakot ismertet, amelynél a hozzávezető huzalok a szigetelő réteg ablakaiban vannak rögzítve, amely ablakok azon helyek fölött helyezkednek el, amelyeken az emitterzónát és báziszónát az említett határoló fe- 30 lülletek határolják. Minthogy ezek az ablakok és különösen az emitter zóna számára szolgáló ablak ezen tranzisztorok gyakorlati kiviteli alakjánál igen kis méretűek, a 2 981 877 lajst^ romsaámú USA szabadalmi leírásban javasolták, hogy a szigetelő rétegre vigyenek föl olyan vezető réteget, amely az ablakon keresztül az emitter zónával és a bázis zónával érintkezik és az ablaktól oldalirányban a kollektor zóna fölé nyúlik, de attól a szigetelő réteg elszigeteli és ezáltal sakkal nagyobb felület adódik a hozzávezető huzalok csatlakoztatására. Kitűnt, hogy az ilyen fajta tranzisztoroknál egyrészt a kollektor zóna és másrészt az emitter zóna vagy bázis zóna között fellépő feszültséget viszonylag kis határérték alatt kel tartani, olyan kis érték alatt, amely sokkal kisebb, mint a kollektor zóna és a bázis zóna közötti átmenet letörési feszültsége. Ha ezt a határt túllépik, a szigetelő réteg átüt. Célunk, hogy olyan felépítésű pianáritranzisztort alakítsunk ki, amelynél egyrészt a kollektor zóna és másrészt a bázis zóna vagy emitter zóna között fellépő maximális feszültséget egyáltalán nein, vagy csak alig korlátozzák a szigetelő réteg tulajdonságai, hanem a kollektor zóna között levő átmenet korlátozza és ennek ellenére is lehetséges, hogy az említett vezető réteg elegendő kiterjedésű legyen a hozzávezető huzalok rögzítésére. 158735