152799. lajstromszámú szabadalom • Eljárás és berendezés síküveg gyártására

MAGYAR NÉPKÖZTÁRSASÁG ORSZÁGOS TALÁLMÁNYI HIVATAL SZABADALMI m m LEIRAS Bejelentés napja: 1964. VIII. 19. (Pl—234) Nagy-Britannia-i elsőbbsége: 1963. VIII. 19. Közzététel napja: 1965. XI. 22. Megjelent: 1966. VII. 15. 152799 Szabadalmi osztály: 32 a 19/00 Nemzetközi osztály: Co3b 19/00 Decimal osztályozás: 666.1.036 Feltalálók; David Gordon Loukes, Prescot és Alan Edwards, Widnes, Nagy-Britannia Tulajdonos: Pükington Brothers Limited, Liverpool Eljárás és berendezés síküveg gyártására A jelen találmány síküveg gyártására vonatkozik, éspedig főleg arra az eljárásra, amelynél az üveg megolvasztott fémmel érintkezik és e fém fürdőjén szalagalakban halad előre. Ez a fém pl. megolvasztott ón vagy ónötvözet, .amely- 5 nek fajsúlya nagyobb, mint az üvegé és a fürdőt lényegileg úgy készíthetjük, mint ahogyan azt a 144 821 számú magyar szabadalom ismerteti. Ebben a fémfürdőben szennyeződések lehet- 'W nek jelen, így pl. oxigén, vagy kén és a találmány főcélja a gyártást olyképp foganatosítani, hogy a szennyeződéseket a fómifürdőből eltávolítihassuk. A találmány további célja, az olvasztott fém 15 fürdőjében egy adalékelemet nyomokban fenntartani és megfelelően szabályozni ennek az elemnek mennyiségét a fürdőben. A találmány értelmében síküveg gyártásánál, miközben az az olvadt fémmel érintkezik, a 20 fémfürdőben adalékelemet kis mennyiségben tehát nyomokban tartunk fenn és ez az elem hajlamos arra, hogy a fémfürdőnek legalább az egyik szennyeződésével reakcióba lépjen; az eljárás során a megolvasztott fémből eltávolítjuk 25 az adalékelem és a szennyeződés termékét olyképp, hogy a fémfürdő megfelelő részét vagy zónáját oly vegyület olvasztott rétegével érintkeztetjük, amely a fémfürdőből a szennyeződés reakciótermékét eltávolítja. 30 • A találmány megvalósítható olyképp is, hogy az említett olvadt réteget a fémfürdő felületére korlátozzuk és úgy járunk el, hogy az említett vegyületnek mindig más és más felületét, tehát mindig friss anyagot fordítunk a fémfürdő felé. így a réteg és a fémfürdő érintkezésénél mindig a megfelelő hatóképességű anyag van. Előnyösen úgy járunk el, hogy az állandóan friss anyagon, tehát a vegyületnek a fémfürdővel érintkező részén megfelelően szabályozott elektromos áramot vezetünk át és ezzel a szennyeződést elektrolitikus úton kiválasztjuk. Ezután a kiválasztott szennyeződést az olvadt rétegből eltávolítjuk. A találmány még arra is vonatkozik, hogy síküveg említett gyártásánál, miközben nyomokban egy adalékelemet tartunk fenn a fémfürdőben és ezt reakcióba hozzuk a fémfürdő szennyeződésével, a reakcióterméket pedig eltávolítjuk a fürdőből olyképp, hogy annak felszínén, ill. a fémfürdő egy zónáján elhatárolt réteget tartunk fenn, ezt a réteget fluoridból létesítjük és olyan fluoridot alkalmazunk, amely magába veszi a fémfürdőben keletkező terméket és az adalékelemnek legalább egy vegyületét tartalmazza. A szennyeződés elektrolitikus kiválasztása oly módon is történhet, hogy a megolvasztott vegyületet folyamatosan dekantáljuk a fémfürdő felületének megfelelő részén, miáltal a vegyü-152799